该宣布指出，三星电子一贯在努力追赶本土竞争对手SK海力士，这项资格为这家环球最大内存芯片制造商扫清了一个重大障碍。
该宣布提到，人士称，三星电子和英伟达尚未签署已获批准的8层HBM3E芯片的供应协议，但将很快签署，并估量供应将于2024年第四季度开始。
不过，人士称，这家韩国科技巨子的12层HBM3E芯片尚未通过英伟达的测试，由于此事仍属机密，人士谢绝透露姓名。三星电子和英伟达均谢绝置评。
该宣布补充之处，HBM是一种动态随机存取存储器或DRAM标准，于2013岁首年月次推出，个中的芯片采取垂直堆叠办法，以节省空间并降落功耗。HBM是AI图形处理单元(GPU)的关键组件，可帮助处理繁芜运用程序产生的大量数据。
路透社5月份援惹人士称，三星电子自去年以来一贯在寻求通过英伟达对HBM3E以及之前第四代HBM3型号的测试，但由于发热和功耗问题而举步维艰。知情人士还透露，该公司已重新修正了HBM3E设计以办理这些问题。
此外，在路透社5月份揭橥文章称其芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达测试后，三星电子表示该说法不实。
该宣布指出，在英伟达批准三星电子最新HBM芯片之际，随着天生式AI热潮的兴起，对繁芜GPU的需求不断飙升，而英伟达和其他AI芯片组制造商正在努力知足这一需求。
该宣布援引研究公司TrendForce不雅观点，HBM3E芯片很可能成为今年市场上的主流HBM产品，出货量将集中不才半年。制造商SK Hynix则估计，到2027年，HBM内存芯片的总体需求可能以每年82%的速率增长。
该宣布提到，三星电子7月份预测，到第四季度，HBM3E芯片将占其HBM芯片销量的60%，许多剖析师表示，如果其最新的HBM芯片能在第三季度前通过英伟达的终极批准，这一目标就可以实现。
不过，三星电子并未公布详细芯片产品的收入明细。路透社对15位剖析师的调查显示，今年上半年三星DRAM芯片总收入估量为22.5万亿韩元(约合164亿美元)，部分剖析师表示个中约10%可能来自HBM发卖。
该宣布指出，HBM紧张制造商只有三家，分别为SK Hynix、Micron和三星电子。个中，SK Hynix一贯是英伟达的紧张HBM芯片供应商，并于3月尾向一位不愿透露姓名的客户供应了HBM3E芯片。人士此前曾表示，这些芯片已运往英伟达。(中新经纬APP)
