兆易立异申请单光子雪崩探测器结构及其制作方法专利使器件可以在低电压下触发雪崩效应提高光子探测效率_折射率_类型

专利择要显示，本申请公开一种单光子雪崩探测器构造，包括衬底、埋设在衬底内的第一类型的内嵌掺杂层、第一类型的第一深阱及第二类型的第二深阱。
第一深阱包括具有第一折射率的第一材料。
第二深阱与内嵌掺杂层的顶面毗邻，并与第一深阱相间隔，且第二类型与第一类型相反。
第二深阱包括具有第二折射率的第二材料，且第二折射率大于第一折射率。
通过异质界面光波导技能增强雪崩区电场，使器件可以在低电压下触发雪崩效应，提高光子探测效率。

本文源自金融界