湖南最大年夜半导体集成电路研发及家当化基地开工_家当_长沙

7月20日，三安光电第三代半导体家当园项目在长沙高新区开工。
向一鹏 摄

中新网长沙7月20日电(向一鹏 何清隆)湖南最大的第三代半导体集成电路研发及家当化基地——三安光电第三代半导体家当园项目20日在长沙高新技能开拓区开工。
湖南省委常委、长沙市委布告胡衡华宣告项目开工，长沙市委副布告、市长、湖南湘江新区党工委布告郑建新出席开工仪式。

第三代半导体材料及器件已成为当前环球半导体材料家当的前沿和制高点之一，并引发了新一代科技变革。

项目开工培植现场。
向一鹏 摄

据悉，上述项目总占地面积1000亩，总投资160亿元(公民币，下同)，紧张培植具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装家当生产基地，估量2年内完成一期项目培植并实现投产，6年内实现达产。
建成达产后可实现年产值120亿元，并带动高下游配套家当产值估量超1000亿元，创造1.2万个就业岗位。

“第三代半导体家当园项目有着广阔的市场需求，属于国家重点支持的计策性新兴家当。
我们将积极抢抓半导体家当发展的重大窗口期和历史机遇期，着力办理芯片材料、设计、制造、封测、模块等领域存在受制于人及‘卡脖子’问题。
”三安光电株式会社总经理林科闯先容，公司将以环球尖端技能、精良人才团队和前辈设备，打造具备天下影响力的半导体集成电路研发和家当化基地，推动长沙建成天下级新一代半导体材料技能及家当发展中央。

长沙高新区党工委布告周庆年表示，该项目的履行和建成，将对长沙优化家当构造、造就发展新动能具有主要意义，对长沙积极抢占第三代半导体家当发展制高点也将产生深远影响。
(完)

来源：中国新闻网