结合上篇内容的剖析，由于从市场和官方信息获悉长江存储的消费级PCIe 4.0 SSD固态硬盘TiPlus 7100利用的Xtacking 3.0架构的产品，基于TLC NAND，PCIe Gen4x4，采取DRAM-less无缓存架构。NAND接口速率达到2400 MT/s，与上一代比较速率提高50%，支持HMB机制和SLC缓存。
TechInsights为了剖析Xtacking 3.0的技能，针对TiPlus 7100进行的全面的剖析，终极创造NAND是YMTC CDT2A芯片128L，并非期望的232L NAND。这其实让大家失落望了一把。实在这个128L，在YMTC的角度也是Xtacking 3.0，NAND接口速率从1600MT/s提升到了2400MT/s，属于Xtacking 2.0和Xtacking 3.0的领悟过渡版本，从外界的角度称作Xtacking 2.5更为得当。
不过，这并没有影响TechInsights探寻Xtacking 3.0 232L NAND的激情亲切。念念不忘，必有回响。近日，TechInsights透露，目前已经在海康威视新上市的CC700中，找到了Xtacking 3.0 232L NAND的踪迹。
拆解CC700 2TB SSD, 创造PCB上间隔贴了2个1TB NAND颗粒，这款盘依然采取的是联芸的主控芯片，DRAM-Less无缓存的架构。TBW写入寿命达到3600TB。
与之前TiPlus 7100 128L CDT2A NAND芯片同等，NAND Die采取132-pin BGA MCP封装，尺寸大小18.0 mm× 12.0 mm × 0.9 mm。
每个1TB NAND Die Package封装了8个NAND Die。
NAND芯片的型号为EET1A，终于看到了2x3的 6 Planes架构。
根据2022年FMS上的先容，基于Xtacking 3.0架构的NAND芯片X3-9070，采取了2x3的6 Planes架构。每个Plane在中心肠位具有独立的X-DEC解码器，可以实现multi-plane独立异步操作，使得Xtacking 3.0的IO速率提升50%。与edge X-DEC比较，Center X-DEC设计将WL电容减少了一半，并降落了RC负载和RC延迟(tRC), 终极性能相较edge X-DEC得到15~20%的提升。
Xtacking 3.0采取了存储单元晶圆的背面源连接(BSSC，back side source connect), 好处是对工艺进行了简化，终极得到了降落本钱的上风。下图即是基于Xtacking 3.0架构实现的232L NAND，至此，真正的Xtacking 3.0架构终于现身。
从Xtacking 2.0 128L Die CDT1B芯片，到Xtacking 2.5 128L Die CDT2A芯片，再到Xtacking 3.0 232L Die EET1A芯片，Die面积逐渐增加，存储密度靠近翻了一倍。
2022年7月份，Micron对外正式宣告开始量产232L 3D TLC NAND，读写性能都得到大幅提升，采取的是双堆栈技能。
在Micron宣告232层之后，海力士Sk Hynix也接着发布了238层 512Gb TLC 4D NAND。海力士这个4D NAND叫法，噱头大于实际意义，实际也是3D-NAND的变形，类似CuA架构，便是把电路单元放在存储单元之下(Peri Under Cell, PUC)而已. 估量在2023上半年开始量产。
三星在2021年中已开始打样第8代V-NAND 200L，目前市场上看到的最新是三星已在2022年下半年正式量产1Tb TLC V8-NAND。三星方面并未透露V8 NAND的详细层数，不过流传宣传具有超过200L的技能能力。三星估量2024开始量产V9 NAND，更有噱头的是，三星还操持在2030开拓超过1000层的V-NAND，希望三星早日吃上“千层饼”。
与Micron/Hynix/Samsung的超过200L的NAND比拟，虽然YMTC目前232L紧张运用在消费级产品，整体来看，YMTC已基本进入环球NAND厂商第一技能阵营。希望不屈不挠，更创辉煌！
参考来源：Techinsights官网和YMTC官网
