IGBT是一个受门极电压掌握开关的器件，只有门极电压超过阈值才能开通。事情时常被算作一个高速开关，在实际利用中会产生很高的电压变革dv/dt和电流变革di/dt。电压变革Dv/dt通过米勒电容CCG电容产生分布电流注意灌输门极，使门极电压抬升，可能导致原来处于关断状态的IGBT开通，如图1所示。电流变革di/dt可以通过发射极和驱动回路共用的电感产生电压，影响门极，如图2。
应对米勒电流引起的误导通，目前普遍的方法是用米勒钳位，既在某个器件不须要开通的时候给予一个低阻抗回路到电源参考地。如图3，在IGBT处于关断的时候，晶体管T受控导通，以实现门极GE之间低阻状态。
对付电流变革di/dt浸染于门极的情形，由于门极回路里包含有电感和G、E之间的电容，将构成一个二阶电路。一样平常正常情形下，门极电阻Rg>2√(L⁄C)。但是如果这时候利用了第一种方案中的米勒钳位电路，那么会形成一个低阻尼的二阶回路，从而是门极的电压被抬得更高。
我们用图4的波形来解释门极产生的寄生电压征象。仿真在半桥电路下进行，个中绿色的第4通道，赤色的第2通道以及蓝色的第3通道分别是开通IGBT的门极电压、IC电流以及VCE电压。而黄色的第1通道是同一桥臂上对管的门极电压，可以看到有两个正向的包和一个负向的坑。个中第1个包和第1个坑便是由于发射极的电感引起的，在时序恰好对应了两次电流的变革。而第2个包则是由dvCE/dt带来的寄生影响，可以通过米勒钳位来抑制，也可以用关断负压办理。但对付前两个尖峰，用米勒钳位效可能会使峰值更高。图5(a)和(b)分别是无米勒钳位和有米勒钳位的波形，从橘色的波形表现来看，用米勒钳位对办理米勒导通非常有效，但对寄生电感引起的门极电压尖峰则效果不佳。特殊是第2个向下的峰值很主要，我们接着剖析。
由于受模块内部发射极绑定线的影响，上面的丈量都是在外部端子上的，内部G、E上到底如何呢？我们将借助仿真来展现。图6和图7分别是仿真电路测试点和测得的内部电压波形。可以瞥见内部门极电容上的电压和外部测得的刚好是相反的。之前那个向下的尖峰才是真正会带来门极电压提高的关键！
那加上米勒钳位功能后效果怎么样呢？请参考图8，实线是用了miller功能的，虚线是没有用miller功能的，峰值更大，增加了寄生导通的风险。看来米勒钳位无法办理di/dt引起的寄生导通问题。这种情形下，只能仰仗负压关断，或者增大Rg来放慢di/dt了。
在实际产品中，特殊是小功率的三相桥模块产品，基本发射极都不是Kelvin构造，连接构造繁芜，如图9所示，非常随意马虎涌现di/dt引起的寄生导通征象。好在这种小模块利用的时候都会加上不小的门极电阻，从而限定了开关斜率。而大功率模块一样平常都会有赞助Emitter脚，驱动回路里不会涌现大电流叠加。
总结一下，对付米勒电流引起的寄生导通，在0V关断的情形下，可以利用米勒钳位来抑制。当涌现非米勒电流引起的寄生导通时，如果不想减慢开关速率增加损耗的话，加个负压会是一个极其便利的手段。
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