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据先容，碳化硅材料已成为环球半导体家当计策竞争的新高地，对实现“双碳”具有主要的计策意义。因碳化硅具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优点，更适宜开拓具有耐高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等上风的功率半导体器件，可有效打破传统硅基材料的物理极限，已成为我国重点发展的计策性前辈半导体。
2021年9月，中电科二所培植了碳化硅芯片mini线，并卖力整线运行和掩护。针对全体项目韶光紧、任务重的情形，研究所凭借自身的行业影响力和资源调配能力，在水、电、气等配套条件完成后的30日内，完成单机设备调试、碳化硅整线工艺调试，并成功产出碳化硅芯片，创造了山西速率。
中电科二所有关卖力人表示，该项目的成功是落实我省“十四五”方案将半导体家当打造成新支柱家当取得的阶段性重大成果，也代表着我省向半导体领域转型发展道路上的一个主要进展。下一步，研究所将全力以赴推进实验室二期碳化硅芯片中试线和碳化硅器件智能封装线的培植。（沈佳）
来源：山西日报
