Intel 10nm工艺率先投入NAND闪存：晶体管密度暴增2.7倍_晶体管_工艺

有称，Intel操持在自家最新的64层NAND闪存上利用最新的10nm制程工艺，至于为什么率先利用10nm工艺，业界认为比较较于CPU，NAND构造相对大略，基本上便是海量同类晶体管堆积。

Intel在大会上表示，与目前所利用的工艺比较，未来的10nm制程能够让晶体管密度提升2.7倍之多。

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