先容
基于嵌入衰落掌握器（MCU）的系统历来依赖低频32.768 kHz石英谐振器驱动振荡器进行韶光保持和故障规复功能.TempFlat™MEMS SiT1533振荡器和SiT1552温度补偿振荡器（TCXO）是新一代更小尺寸的32.768 kHz 可供应具有本钱效益，可靠性，改进频率稳定性的替代石英32.768 kHz振荡器的器件。
本运用条记概述了低功耗MCU中利用的片内32 kHz振荡器模式以及SiT1533/SIT1552系列支持的不同驱动器设置。 SiT1533/SIT1552器件具有NanoDrive™，这是出厂设计的输出电压摆幅，以优化与现有振荡器坚持电路的电源和连接。 本文档列出了SiT1533/SIT1552输出驱动器VOH / VOL设置的有效组合以及特定MCU的干系部件号：
1.Energy Micro EFM32 2.瑞萨电子RL78G13 3. STMicroelectronics STM32 4.德州仪器MSP430F2x 5.恩智浦LPC11xx 6.飞思卡尔Kinetis L4x / L5x 7.Microchip PIC18
特定于每个MCU的程序设计细节列在各个附录中本运用条记。
MCU 32KHz振荡器事情模式
大多数节能MCU都采取片上32.768 kHz振荡器作为具有固定或可调反相增益级的皮尔斯振荡器的变体，如图1所示。
图1：范例的32.768 kHz振荡器框图，显示了晶振
该低频振荡器可以被配置为以三种不同的模式事情，如图所示图2 1.模式1：仅谐振器模式：驱动32.768 kHz石英谐振器 2.模式2：在XIN引脚上接管正弦波输入≥200mVpp 3.模式-3：旁路或关闭片上数字逻辑电平时钟输入振荡器。 对付与1.8V逻辑电平兼容的振荡器输入，摆幅较小可以利用SiT15xx支持的NanoDrive来节省额外的电力
图2：MCU片上32 kHz振荡器的事情模式
SIT5xx 输出驱动电平
SiT15xx器件支持两种不同的输出驱动模式 1. NanoDrive™减少摆动，工厂可编程 2.铁路轨道全方位LVCMOS
NanoDrive减速摆动模式 在NanoDrive模式下，SiT15xx输出驱动器实现了各种电压摆幅和普通模式偏置电压，类似于通过32 kHz石英晶体驱动的Pierce振荡器的各种实现而持续的驱动电平。 对付直流偏置和摆幅电平敏感的32 kHz振荡电路，支持直流耦合VOH / VOL驱动电平。 每个VOH / VOL组合中显示精确的零件编号指示符！
参考源未找到..例如SiT153xAI-H4-D26-32.768将供应范例的驱动电平：VOH = 1.2V和VOL = 0.6V。 该设置的适用振荡器事情模式为Mode-1，如图2所示。
表1：许可的纳米驱动电平的矩阵
图3显示了在编程时SiT153x振荡器的范例波形输出NanoDrive模式：摆幅电压，Vswing = 0.7 V，VOH = 1.1V，VOL = 0.4V进入15 pF负载。2012套件的相应部件号是SiT1533AI-H4-D14-32.768。
图3：SiT153xAI-H4-D14-32.768输出波形为15 pF负载
全速LVCMOS驱动
可以将SiT153x / SiT1552系列编程为产生全摆幅LVCMOS输出。图4显示了SiT153xAI-H4-DCC-32.768，1.8V VDD到15 pF负载的波形
图4：1.8V VDD至15 pf负载下的SiT153xAI-H4-DCC-32.768的LVCMOS波形
Energy Micro EFM32
EFM32系列微掌握器基于面向低功耗操作的ARM Cortex-M0，M3或M4处理器核心。 EFM32采取低频晶体振荡器（LFXO），用于片上外设（包括RTC）和潜在的CPU内核。LFXO可以在连接在LFXTAL_N和LFXTAL_P引脚上的32.768 kHz石英晶体或外部时钟源 在LFXTAL_P引脚上。 默认情形下，低频晶体振荡器（LFXO）被禁用。 表2列出了LFXO振荡器的三种事情模式中的每一种的SiT15xx器件的最佳设置。
表2：三个EFM32 LFXO振荡器模式的SiT15xx配置
STMicroelectronics STM32
STM32L152RBT6是基于ARM的Cortex-M3 MCU。 内部RTC具有单独的精确低频（LSE）振荡器。 LSE振荡用具有为实时时钟（RTC），外设时钟/日历或其他定时功能供应低功耗但高度准确的时钟源的优点。 振荡器包含用于晶体连接的OSC32_IN和OSC32_OUT引脚。 作为选件，外部时钟源可以通过MCU注册的设置绕过片上振荡器而直接路由到OSC32_IN引脚。 默认情形下，LSE振荡器关闭。 与EFM32不同，LSE振荡器支持两种事情模式。表3列出了LSE振荡器的两种事情模式下SiT15xx的最佳设置。
表3：两个STM-32 LSE振荡器模式的SiT15xx配置
瑞萨电子RL78G13
R5F100LE是基于RL78内核的16位MCU。 MCU包括一个低频晶体振荡器（XT1），可用于定时外设（包括RTC）和核心（如果须要）。 XT1时钟振荡用具有两个用于晶体连接XT1和XT2的引脚。 可以通过设置XTSTOP位（时钟操作状态掌握寄存器（CSC）的位6）来停滞振荡。外部CMOS电平时钟也可以供应给EXCLKS / XT2引脚。表4列出了XT1的三种事情模式中的每一种的SiT15xx的最佳设置振荡器。
表4：三个XT1振荡器模式的SiT15xx配置
德州仪器MSP430F2x 德州仪器的MSP430微掌握器基于16位RISC CPU。 该架构结合五种不同的低功耗模式进行了优化，可在便携式运用中实现延长的电池寿命。 MSP430 MCU包括支持低系统本钱和超低功耗的基本时钟模块。 基本时钟模块包括低/高频振荡器，可用于32768 Hz的低频腕表晶体，谐振器或外部时钟源。 MCU有两个用于晶体连接的XIN和XOUT引脚。表5列出了XT1振荡器的三种事情模式中的每一种的SiT153x的最佳设置。
表5：两个LFXT振荡器模式的SiT15xx配置
恩智浦LPC11xx
LPC1100 MCU是基于Cortex-M0的MCU，速率高达50 MHz。 CortexM0处理器是为各种嵌入式运用而设计的入门级32位ARM Cortex处理器。 MCU具有几种低功耗模式，可在便携式运用中实现高性能的低功耗：就寝模式，深度就寝模式，掉电模式和深度掉电模式。 该MCU集成了供应32768 Hz时钟的低功耗RTC振荡器。 两个引脚RTCXIN和RTCXOUT用于32768 Hz晶振的连接。 只管低功耗模式，RTC振荡器始终事情。 内部RTC振荡器不能旁路。表6列出了XT1振荡器适用事情模式下SiT153x的最佳设置。
表6：RTC振荡器模式的SiT15xx配置
飞思卡尔Kinetis L4x / L5x
Kinetis L系列MCU基于ARM Cortex-M0 +处理器。 这些处理用具有低功耗和高性能。 MCU的时钟分配系统包括多功能时钟发生器（MCS），晶体振荡器（XOSC）和实时时钟（RTC）模块。 石英晶体可以连接到EXTAL32和XTAL32引脚。 如果XOSC被旁路，外部时钟可能会供应给EXTAL32引脚。 XOSC集成了可调片上负载电容，由用户固件掌握。 它们不包括将外部负载电容器连接到晶体。 有两种振荡器事情模式可供选择：高增益和低功耗配置。 高增益配置须要高电压电平。 下表列出了XOSC振荡器的两种事情模式下SiT153x的最佳设置。
表7：XOSC振荡器模式的SiT15xx配置
Microchip PIC18
PIC18 MCU是低功耗8位器件，许可灵巧的时钟定制和大略的寄存器访问，使设计职员能够在省电运用中实现较低的均匀功耗。 PIC18器件包括两个振荡器。 一个是在MHz频率范围内事情的高速振荡器。 第二个振荡器利用Timer1在低功耗低频下事情，并在核心和其他外设处于省电模式时连续事情。 赞助振荡器包括两个用于连接外部时钟源的T1OSI和T1OSO引脚。 下表显示了利用SiT153x器件作为时钟源时的两种可能模式。 为了达到最低功耗SiTime建议利用旁路模式（Mode-3）。 这肃清了片上赞助振荡器电路花费的额外电流。
表8：赞助振荡器模式的SiT15xx配置
