中国江苏英诺赛科（苏州）科技株式会社、中国江苏英诺赛科（苏州）半导体有限公司、中国广东英诺赛科（珠海）科技有限公司、美国Innoscience America， Inc. of Santa Clara， CA为列名被告。
英飞凌科技股份公司在当地韶光26日发布称，扩大了2024年7月23日在加州北区地方法院审理的诉讼，增加了对珠海英诺赛科科技有限公司、Innoscience America，Inc.及其附属公司的索赔，指控其陵犯了英飞凌拥有的其余三项涉及氮化镓技能的专利。此外，英飞凌同时向美国国际贸易委员会（USITC）提起诉讼，个中包含涉及诉讼涉及的相同四项专利的法律索赔。
英飞凌寻求对陵犯其拥有的氮化镓技能的美国专利的永久禁令。据英飞凌官方称，该专利权涵盖了氮化镓功率半导体的核心方面，这对英飞凌专有的“氮化镓功率晶体管”（proprietary GaN power transistors）的性能和可靠性的实现至关主要。
2024年3月14日，英飞凌已向美国加州北区地方法院对英诺赛科提起专利侵权诉讼。6月4日，英飞凌又向德国慕尼黑地方法院对英诺赛科及其分销商提起相应诉讼，并成功申请了慕尼黑地方法院的初步禁令，禁令于今年6月12日发布。根据该法院命令，英诺赛科不得在纽伦堡的“PCIM Europe2024”展会上展示涉侵权产品。
根据Frost & Sullivan公司的资料，2023年，英诺赛科在环球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一，市场份额达33.7%。然而其招股书显示，近三年其净利润频年亏损。
今年6月，英诺赛科向港交所递交招股书，图为个中的财务状况 图/英诺赛科招股书文件
英诺赛科自2022年开始积极扩充氮化镓产品的环球发卖网络，开拓外洋市场，操持在外洋设立综合研发及生产中央，并建立发卖中央。然而这须要大量的技能开拓事情，在持续亏损之下，不得不减少了研发用度。
而国外竞争对手也频频发难。除了英飞凌多地提诉，5月美国氮化镓公司宜普电源转换公司（EPC）也称其四项美国专利遭到英诺赛科侵权。
本文源自不雅观网财经
