长鑫存储申请半导体结构及其形成方法、存储器专利该专利技能能减小出现研磨不均的概率避免在研磨过程中顶部芯片的外面产生划痕改进产品外不雅观_芯片_正投影

专利择要显示，本公开是关于半导体技能领域，涉及一种半导体构造及其形成方法、存储器，本公开的形成方法包括：供应载板；在载板的一侧形成芯片组，芯片组包括多个沿垂直于载板的方向堆叠的芯片单元，各芯片单元中靠近载板的一侧的各芯片单元在载板上的正投影在间隔载板最远的芯片单元在载板上的正投影之内；形成覆盖芯片组的绝缘介质层；进行研磨处理，以将间隔载板最远的芯片单元的预定表面暴露于绝缘介质层外。
本公开的形成方法可减小涌现研磨不均的概率，避免在研磨过程中顶部芯片的表面产生划痕，改进产品外不雅观。

本文源自金融界