电容器与电阻器有同样的问题。当带引线时，自感常日太高而无法在射频下利用。它们还包括一些损耗，有时称为 ESR 或有效串联电阻。图 1 显示了一种可能的等效电路。
图1
图 1 用于高频仿照的电容器等效电路模型。
由于电容器的等效电路看起来像串联 RLC 网络，因此它将具有自谐振频率。高于此频率，它实际上表现得像电感器。如果您考试测验利用电容器构建 LC 滤波器，这将是一个严重的毛病！
例如，100 pF 引线电容可能具有 10 nH 的串联电感。这意味着它将在 159 MHz 处串联谐振，看起来像一个小的实际电阻。这被称为其自谐振频率或 SRF。如果须要更大的 C 或须要更高频率的操作，则常日利用贴片电容器。这些电容器的电感要低得多，常日为 1 nH 的数量级。
有些情形下应避免自谐振。例如，在存在大量瞬态行为的数字电路中，应通过添加小串联电阻来抑制谐振。
请把稳，一些常见类型的电容器在高频下根本不起浸染。它们具有较大的电感。除了直流电源、音频运用以及偶尔须要 RF 放大器上的低频旁路外，应避免利用这些电容器。因此，一样平常来说，对付高频运用：
该当避免将电解电容器和钽电容器用于 RF 的运用电路中；
2 旁路电容器示例图 1 中的等效电路模型是在 ADS 中仿照的，以绘制幅度和相位与频率的关系（图 2）。（请参阅本号的视频 ADS 教程根本，理解如何设置。）假设引线陶瓷电容器的范例串联电阻为 1 欧姆，电感为 10 nH。电容为 10 nF。对付高频旁路电容器，这可能是一个合理的选择，其功能是在一定频率范围内供应低阻抗，以防止旗子暗记泄露到电源总线中并在须要时供应良好的互换接地。
我们可以看到，电容器在 16 MHz 时自谐振，并将在约 5 MHz 至 50 MHz 之间供应相称低的接地阻抗。对付更高频率的利用，电感低得多的芯片电容器将是一个不错的选择。
再次解释，如果存在能够引发自谐振的瞬变，则自谐振可能成为振铃的来源。
图2
图2,电容的高频寄生效应仿真事理图
图3
图 3， 高频运用中的电容的幅度和相位与频率的关系。
3 电感器高频电路中的电感器常日实行以下角色之一：
RF 扼流圈：阻断交流电 - 常日用于偏置馈电。谐振器：频率掌握或滤波器运用。电抗：用于在某个繁芜频率下引入极点或零点。正如您现在已经预见到的那样，这些与其他组件一样不理想。等效电路如图 4 所示：
图4
图 4， 高频电感器的等效电路。
串联电阻是由于导线 IR 损耗、趋肤效应损耗、辐射、磁芯材料损耗（如果有）和介电损耗造成的。电感器中的损耗可能非常高。电路模型中的电容是由导线线圈匝之间的电场引起的，由于匝之间会有电位差。有关 Zin1 的频率依赖性，请拜会图5和图6的仿真事理图和仿真结果。另一个端口接地。在此示例中，C = 5 pF，R = 1 欧姆，L 从 0.1 扫描至 100 μH。
电感器也是自谐振的，在高频下会表现出容抗。这会导致视在电感在靠近谐振频率时变得非常依赖于频率。
图5
图5，电感的高频寄生效应仿真事理图
图6
图6，电感的高频寄生效应影响的仿真结果
下面的图 7的 四个 L 值与频率的参数扫描仿照。在较低频率下，所有电感器看起来都是电感性的。每个电感器都有明确定义的自谐振。在自谐振频率以上，它们会显示自电容的影响。
图7
图 7寄生元件对假定的低通滤波器构造的影响：(a) 按设计，(b) 添加寄生元件，(c) 元件自谐振以上的有效电路变为高通。
用于 HF/VHF 频率范围的电感器常日会利用磁芯材料、铁粉或铁氧体，以减少实现所需电感值所需的导线长度。有关选择这些材料的详尽指南，请参阅参考资料 。有许多棒状或环形电感器来源。它们还可用于通过在同轴或带状线上供应共模扼流圈来抑制滋扰。
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