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芯片IC临近为什么都放0.1uF的电容?这样做精确吗?有什么依据?_电容_电感

神尊大人 2024-12-04 16:38:13 0

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数字电路要运行稳定可靠,电源一定要”干净“,并且能量补充一定要及时,也便是滤波去耦一定要好。
什么是滤波去耦,大略的说便是在芯片不须要电流的时候存储能量,在须要电流的时候又能及时地补充能量。
有读者看到这里会说,这个职责不是DC/DC、LDO的吗?对,在低频的时候它们可以搞定,但高速的数字系统就不一样了。

先来看看电容,电容的浸染大略来说便是存储电荷。
我们都知道在电源中要加电容滤波,在每个芯片的电源脚放置一个0.1uF的电容去耦。
但是,怎么有些板子芯片的电源脚阁下的电容是0.1uF的或者0.01uF的,有什么讲究吗?

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要搞懂这个道道就要理解电容的实际特性。
空想的电容它只是一个电荷的存储器,即C,而实际制造出来的电容却不是那么大略。
剖析电源完全性的时候我们常用的电容模型如图1所示。

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(图片来自网络侵删)

图1

图1中,ESR是电容的串联等效电阻,ESL是电容的串联等效电感,C才是真正的空想电容。
ESR和ESL是由电容的制造工艺和材料决定的,没法肃清。
那这两个东西对电路有什么影响?ESR影响电源的纹波,ESL影响电容的滤波频率特性。

我们知道:

电容的容抗

Zc=1/ωC

电感的感抗

Zl=ωL,ω=2πf

实际电容的复阻抗为:

Z=ESR+jωL-1/jωC

=ESR+j2πf L-1/j2πf C

可见,当频率很低的时候是电容起浸染,而频率高到一定程度电感的浸染就不可忽略了;再高的时候电感就起主导浸染了,电容就失落去滤波的浸染了。
以是记住,高频的时候电容就不是纯挚的电容了。
实际电容的滤波曲线如图2所示。

图2

上面说了,电容的等效串联电感是由电容的制造工艺和材料决定的。
实际的贴片陶瓷电容,ESL从零点几nH到几个nH不等,封装越小ESL就越小。

从图2中看出,电容的滤波曲线并不是平坦的,它像一个’V’,也便是说有选频特性。
有时候我们希望它越平越好(前级的板级滤波),而有时候希望它越尖越好(滤波或陷波)。

影响这个特性的是电容的品质成分Q:

Q=1/ωCESR

ESR越大,Q就越小,曲线就越平坦;反之ESR越小,Q就越大,曲线就越尖。

常日钽电容和铝电解有比较小的ESL,而ESR大,以是钽电容和铝电解具有很宽的有效频率范围,非常适宜前级的板级滤波。
也便是说,在DC/DC或者LDO的输入级,常常用较大容量的钽电容来滤波。
而在靠近芯片的地方放一些10uF和0.1uF的电容来去耦,陶瓷电容有很低的ESR。

说了那么多,那到底在靠近芯片的管脚处放置0.1uF还是0.01uF?下面列出来给大家参考。

频率范围/Hz

电容取值

DC-100K

10uF以上的钽电容或铝电解

100K-10M

100nF(0.1uF)陶瓷电容

10M~100M

10nF(0.01uF)陶瓷电容

>100M

1nF(0.001uF)陶瓷电容、PCB电源与地间的电容

以是,往后不要见到什么都放0.1uF的电容,有些高速系统中这些0.1uF的电容根本就起不了浸染。

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