逻辑电平是用来表示数字旗子暗记状态的电压水平。在数字电子系统中，常用的逻辑电平有高电平（常日表示为“1”）和低电平（常日表示为“0”）。这两个电平分别对应于二进制的“1”和“0”，代表着不同的逻辑状态。逻辑电平的稳定性对付精确地识别和处理数字旗子暗记至关主要。
一、TTL逻辑电平TTL（Transistor-Transistor Logic）逻辑电平是早期广泛利用的数字逻辑家族之一。TTL电平基于晶体管的饱和区和截止区之间的转换。在TTL电路中，高电平被定义为2 V至5 V的电压范围，低电平则为0 V至0.8 V。
TTL逻辑电平的紧张特点：
高噪声容忍度：TTL逻辑电平对噪声的抵抗能力较强，可以正常事情在高噪声环境下。
快速开关速率：TTL家族具有较高的开关速率，适用于须要高速操作的场景。
相对较高的功耗：由于其分外的电路构造，TTL电路常日花费较高的功率。
二、CMOS逻辑电平CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）逻辑电平是当代数字电子系统中常用的一种逻辑电平。CMOS逻辑电平通过晶体管的导通和截止来实现旗子暗记的切换。如常用的3.3 V CMOS电平采取了不同的电压范围，个中高电平为2.7 V至3.3 V，低电平为0 V至1.2 V。
以下是3.3 V CMOS逻辑电平的特点：
低功耗：相对付TTL电路，CMOS电路的功耗较低，使其成为许多便携式设备中的空想选择。
高抗噪声性能：CMOS逻辑电平对噪声的容忍度也较高，可以在噪声环境中保持良好的旗子暗记完全性。
较宽的事情电压范围：CMOS电路可以在较宽的电压范围内正常事情，供应了更大的设计灵巧性。
常日，在电路中会碰着TTL电路和CMOS电路稠浊利用的情形，由于这些电路之间的电源电压、输入/输出电平及负载能力等参数不尽相同，因此它们之间的连接须要通过电平转换电路，使前级器件的输出逻辑电平知足后级器件对输入电平的哀求。
当不同逻辑电平之间须要进行转换时，我们可以利用电平转换电路。
（1）TTL驱动CMOS电路
当它们利用相同的电源电压时，可采取外接上拉电阻的办法提高TTL的驱动能力；当利用不同的电源电压时，必须采取电平转换电路。如3.3V/5V TTL驱动5V CMOS：高电平输出大于2.4V，如果落在2.4V至3.5V之间，CMOS电路不能检测到高电平，须要进行电平转换。
（2）CMOS驱动TTL电路
3.3V/5V CMOS可以直接驱动3.3V/5V TTL。3.3V CMOS驱动5V CMOS：高电平输出3.3V， CMOS电路不能检测到高电平，须要进行电平转换。
如果是其它电平，请参考TTL与CMOS电平规范判断是否须要进行电平转换。
三、常见电平转换办法（1）晶体管+上拉电阻
该方法是利用一个双极型三极管或MOS管，C/D极接一个上拉电阻到正电源，输出电平大致便是正电源电平。
（2）OC/OD器件+上拉电阻
该方法适用于器件输出刚好是OC/OD的场合。OC门即集电极开路门电路；OD门即漏极开路门电路。
（3）专用电平转换芯片
这是最通用的电平转换方法，有些芯片不仅可以用作升压/降压，还能许可两边电源不同步，但价格也比较昂贵。如非必要，可以考试测验下面两种方法。
（4）电阻分压
最大略的降落电平的方法。如5V电平经由1.6k+3.3k电阻分压后就变成3.3V。
（5）限流电阻
若是以为利用两个电阻太多，有时还可以只串联一个限流电阻，担保输入保护电流不超过电源极限就可以了。
（6）74xHCT系列芯片升压（3.3V→5V）
凡是输入与5V TTL电平兼容的5V CMOS器件都可以用作3.3V→5V电平转换。这是由于3.3V CMOS的电平可以刚好与5V TTL电平兼容，而CMOS的输出电平总是靠近电源电平。
参考示例：
（1）3.3V→5V电平转换
如上图，R1与Q1组成OC门，合营R2上拉至5V，以此实现电平转换。Tx输出0V，Q1导通，Rx端为0.3V旁边；Tx输出3.3V，Q1截止，RX端为5V，完成电平转换功能。
（2）5V→3.3V电平转换
R3与Q2组成OC门，合营R5上拉至3.3V，实现电平转换。Tx输出0V，Q2导通，Rx端为0.3V旁边；Tx输出5V，Q2截止，RX端为3.3V，完成电平转换功能。
逻辑电平作为数字电子系统中的核心观点，决定了旗子暗记的精确解读和处理。本文大略先容了不同逻辑电平之间进行转换的常见方案，至于其他的转换办法，感兴趣的朋友可以自行研究。
