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自从芯片巨子英特尔率先在22nm引入了FinFET之后，台积电和三星也先分别在16nm、14nm节点引入了这个新技能，并将其推进到了7nm，并操持将其推进到5nm。在2D晶体管面临瓶颈的时候，3D FinFET的涌现延长了摩尔定律的寿命。
但正如硬币有正反面一样。3D FinFET的涌现虽然办理了晶体管微缩带来的泄电问题，同时也引起了新的问题，如自发热效应和Reliability variations便是当中的范例代表。
首先看一下自发热效应
得益于其独特的构造设计，FinFET的涌现办理了平面晶体管面对的短沟道效应和泄电等问题，但也正由于这些狭窄而伶仃的的Fin设计，使得FinFET的散热能力较之平面晶体管有显著的减弱。据数据显示，FinFET的热度是过去平面晶体管的三倍。且随着Fin的“长高”，自发热效应越明显。这些自发热效应就会对FinFET的可靠性造成主要的影响。
至于Reliability variations，则又是另一个寻衅。Reliability variations将在未来的前辈技能中如下一代纳米线、纳米薄膜电阻中进一步扩大。
随着节点的演进，它带来的问题会日益严厉。
从现状看来，摩尔定律一定会连续生效，那就意味着工艺节点连续演进，晶体管连续微缩是一个不可逆的趋势。为了提升产品的可靠性，我们必须对干系测试方法论做更新，让开发者在未来能更好地面对小尺寸FinFET带来的寻衅。
不同开拓者都有他们的不同研究、简介和解决问题的方法。而来自华为海思的设计可靠性团队的刘长泽则供应了一个他的不雅观点和方法论，帮助大家办理前辈节点下面对的可靠性寻衅问题。
为此，华为海思半导体刘长泽博士作了主题《Reliability Challenges in Advanced Technology Node》 的主题演讲，有须要者欢迎下载PPT及其他干系资料。
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