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Anandtech透过深度发掘手机内的系统文件，创造iPhone 6s所用的是型号为AP0128K的苹果SSD，而2015版MacBook上所用的SSD型号为AP0256H，这两者在命名上很相似。
他们创造iPhone 6s上的SSD用的不是传统eMMC所用的SDIO接口，而是PCI-E，这个PCI-E也不电脑上的那个，是基于MIPI M-PHY物理层的PCI-E，利用NVMe接口协议，UFS规范走的也是PCI-E物理层同样是MIPI M-PHY，不过接口协议是SCSI。
一样平常来说现在智好手机都是利用eMMC规范的闪存存储装置，今年三星在Galaxy S6系列手机上实行了UFS 2.0规范的存储装置夹帐机的闪存读写性能得到显著提升，大幅抛离其他手机，现在苹果要在iPhone 6s系列手机上利用的NVMe则更是电脑上用的最新规范。
（图片来自网络侵删）
从iFixit拆解iPhone 6s和iPhone 6s Plus的照片上来看，上面闪存也只有一颗，没看到掌握器，可以推断这个芯片实在已经整合了掌握器以及NAND Flash，Anandtech读出了他们所测的机器上的闪存内部信息，NAND型号是1Y128G-TLC-2P，也便是说利用1Y nm工艺的TLC NAND，容量为128GB。
下面是iPhone 6s的闪存性能测试，大家来感想熏染一下NVMe的威力：
连续读取速率是402MB/s，远远抛离上代产品
连续写入速率为164MB/s，比上一代产品翻了一翻
4K随机读取速率为22.5MB/s，比上代也有大幅提升，不过没三星的Galaxy S6强
4K随机写入速率为2.2MB/s，也较iPhone 6有很大提升，不过手机与平板这项表现都偏弱
