器勉励电源（VSEN）、仿照电路电源（VDDA），各电源共用 GND。
电源输入（VIN）：宽电压 VIN 管脚为模块供电（DC5~18V），推举电压为 5.0V~8.0V，VIN 可
产生内核电源 VDD，当利用 VIN 此管脚为模块供电时，VDD 管脚为输出，供应 3.3V 的稳压输出，
可利用此电源为其它电路供电。VDD 输出能力为 200mA，只管即便不要利用 VDD 输出过大电流，以免
影响模块内核的正常事情。
内核电源（VDD）：可由 VIN 产生，当不该用 VIN 时，此管脚作为电源输入，须要外接 DC3.3V
电源。供电电压范围 DC2.2~3.6V，推举电压为 3.3V。模块事情时峰值电流约为 100mA，建议使
用输出能力 200mA 或以上的电压源。VM3XX/VM4XX 模块的 VDD 应只管即便利用标准的 3.3V，其它电
压值会造成热敏电阻丈量产生偏差，VM5XX 模块内部有电压校准机制，对 VDD 电压值无严格要
求。
参考电压（VREF）：对付 VM3XX，此管脚为输出，不该用时保持悬空即可，对付 VM5XX/6XX/7XX
此管脚为输入，应直接连接到 VDD（无需精准的参考电压源）。
勉励电源（VSEN）：VSEN 为传感器勉励过程供应电能，当采取高压勉励方法时，VSEN 作为
泵压源，一样平常情形下 VSEN 电压越高则可获取的勉励电压也越高（
3.3V 的泵压源最高可得到约
120V 的高压）；当采取低压扫频勉励方法时，VSEN 电压即是扫频电压。建议采取 200mA 或以上
的电压源为 VSEN 供电，供电电压推举为 DC8V~10V。
仿照电源（VDDA）：为 ADC、旗子暗记滤波放大器供电，电压范围 DC2.2~5.0V，推举电压为 3.3V。
没有引出 VDDA 管脚的模块，内部已连接至 VDD。
请特殊把稳电源的设计。振弦传感器返回旗子暗记为微弱的正弦波，为减少电源纹波对传感器
旗子暗记的影响，建议所有电源均利用纹波较小的 LDO 稳压器。当利用互换电转直流的供电办法时，
模块地线（GND）一定要可靠接地（大地），某些低真个互换转直流适配器会将互换滋扰引入直
流，严重影响模块旗子暗记处理质量，乃至完备无法利用。
建议靠近电源管脚（VDD 尤其主要）利用一个 10µF 钽电容（低 ESR)和一个 0.1µF 的陶瓷电
容并联。增加并联的电容可以有效去除高频滋扰。同时为防止浪涌对芯片的破坏，建议在模块
电源输入管脚利用一个适宜电压的 500mW 的齐纳二极管防止模块的超压破坏。PCB 布局时，电容
和二极管应尽可能靠近模块的电源输入管脚。
注：严禁同时利用 VIN 和 VDD 为模块供电。
注：模块没有反接电源及超压保护方法，当超过最大许可电压时会导致模块永久性破坏。
注：早期版本的 VM311 模块无 VSEN 管脚接口，已在内部连接于 VDD，可产生最高约 120V 的
高压，若存在管脚兼容问题，请在订购模块时奉告我们，新版模块可以在出厂前修正为与早期
版本相同的内部电路连接（同时已引出的 VSEN 管脚失落效）
