晶合集成申请芯片上钝化层裂缝的检测方法及芯片良率切实其实定方法专利能够检测出钝化层裂缝贯穿氮化硅层但未贯穿氧化硅层的这种缺陷_芯片_裂缝

专利择要显示，本申请公开芯片上钝化层裂痕的检测方法及芯片良率的确定方法，钝化层包括氮化硅层和与氮化硅层打仗的氧化硅层，氧化硅层还打仗芯片的金属层，检测方法包括：将芯片浸入加热的氢氧化钾溶液内，以使加热的氢氧化钾溶液在通过氮化硅层的情形下堕落氧化硅层而进入金属层；将芯片置于显微镜下不雅观察金属层的颜色以确定钝化层是否有裂痕。
本申请能够检测出钝化层裂痕贯穿氮化硅层但未贯穿氧化硅层的这种毛病。

本文源自金融界