长光华芯申请高功率半导体激光芯片机能评估及结构优化方法专利有效提高评估结果准确度_芯片_量子

专利择要显示，本申请公开了高功率半导体激光芯片性能评估及构造优化方法，个中高功率半导体激光芯片性能评估方法包括：在待测芯片N面电极上设置窗口；使待测芯片保持事情状态，待测芯片量子阱有源区产生自发辐射；使自发辐射成像于待测芯片外部；在待测芯片外部通过光谱仪获取自发辐射的光谱，得到待测芯片在事情状态下的量子阱温度的二维分布；在待测芯片外部通过CCD相机获取自发辐射成像的图像，得到待测芯片在事情状态下的量子阱内载流子的二维分布。
本申请公开的高功率半导体激光芯片性能评估及构造优化方法，能够得到分辨率自由调节的事情状态下待测芯片量子阱内温度与载流子浓度的分布，操作方便，大略易行，有效提高评估结果准确度。

本文源自金融界