中芯集成-U 申请包括薄膜电阻器的集成电路器件及其形成方法专利削减形成现有技能中金属膜层相关的结构和工艺步骤节省光罩简化结构并降低成本_所述_金属

专利择要显示，本发明供应一种包括薄膜电阻器的集成电路器件及其形成方法，集成电路器件包括依次设置在基底上的第一金属层、第一层间介质层、TFR 膜层、第二层间介质层和第二金属层，所述第二金属层的部分及所述 TFR 膜层均位于所述第一金属层的部分上方，所述第二金属层的部分和所述第一金属层的部分之间具有第一导电通孔，所述第一导电通孔贯通所述第一层间介质层、TFR 膜层和第二层间介质层，使得在贯通所述 TFR 膜层时所述第一导电通孔的侧壁与所述 TFR 膜层欧姆打仗，从而减少了形成现有技能中金属膜层干系的构造和工艺步骤，节省了相应步骤所需的光罩，简化了集成电路器件构造还降落了本钱。

本文源自金融界