消息称三星电子以自家4nm前辈工艺打造HBM4内存逻辑芯片_内存_工艺

IT之家注：此处逻辑芯片指 Logic Die，SK 海力士称根本裸片 Base Die，美光称接口芯片 Interface Die。
构造拜会美光下图：

层层堆叠的 DRAM Die 内存芯片为 HBM 内存供应容量；而 Logic Die 则是 DRAM 堆栈的掌握单元，还卖力通过互连层与处理器上的内存接口通信，也是 HBM 内存的主要组成部分。

传统上，存储厂商常日自行采取存储半导体工艺生产 HBM 内存的 Logic Die，流程更为简便。
但来到 HBM4 世代后，Logic Die 须要支持更多的旗子暗记引脚、更大的数据带宽，乃至还要承载部分客户定制功能。

因此存储厂商转而选择与逻辑晶圆厂互助，用逻辑半导体工艺生产 HBM4 用 Logic Die。

此前就有传出，台积电将采取 7nm 工艺为 SK 海力士代工 HBM4 的根本裸片。

▲ 三星电子目前最前辈的 HBM3E 12H 内存

三星电子存储部门此番采取自家 4nm 工艺打造逻辑芯片，一方面可提高 HBM4 内存综合能效，提升产品竞争力；另一方面，更为风雅的 4nm 工艺也为各种定制功能的导入留出了更多空间。

不仅如此，此举也可为兄弟单位 LSI 部门供应一份规模不小的订单。

对付三星电子存储部门来说，在产品中导入 LSI 部门的前辈工艺并非没有先例：其面向 OEM 真个消费级固态硬盘 PM9C1a 也配备了 LSI 部门代工的 5nm 主控。