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专利择要显示,本发明涉及一种半导体芯片及其形成方法,涉及半导体封装技能领域。在本发明的半导体芯片的形成方法中,通过设置每个所述半导体芯片区包括多个半导体功能单元,每个所述半导体芯片区中的相邻半导体功能单元之间不设置切割道,每个所述半导体芯片区的四周均设置缓冲区和切割道,进而可以在缓冲区设置大尺寸的第一金属块以及第二金属块,多个第一金属块和多个第二金属块均是环形设置,可以有效保护半导体芯片区,避免其受到切割损伤,且通过在每个所述缓冲区形成缓冲介质块,进一步抑止切割损伤。
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