1、阻滞机制，当离子轰击进入硅衬底后，与晶格原子碰撞将逐渐失落去能量，末了勾留在硅衬底内。有两种阻滞机制，一种是注入的离子与晶格原子的原子核发生碰撞，经由这种碰撞将引起明显的散射并将能量转移给晶格原子，这种过程称为原子核阻滞，在这种“硬”碰撞过程中，晶格原子可以得到足够的能量而从晶格束缚能中分开出来，这将引起晶体构造的混乱和损伤。另一种阻滞过程为入射离子与晶格电子产生碰撞，在电子碰撞过程中，入射离子的路径险些不变，能量转换非常小，而且晶体构造的损伤也可以忽略。这种“软”碰撞称为电子阻滞。总阻滞力，即离子在衬底内移动单位间隔时的能量丢失。
2、离子射程，带能量的离子穿过标靶后逐渐通过与衬底原子碰撞失落去能量，并末了勾留在衬底中。离子在衬底内的轨迹和离子的投影射程。一样平常情形下，离子的能量越高，就越能深入衬底。然而，纵然具有相同的注入能量，所有离子也无法在衬底内刚好勾留在相同的深度，由于每个离子与不同的原子产生撞击。投影离子射程常日都有一个分布区域。具有较高能量的离子束可以穿透到衬底较深的位置，以是有较长的投影离子射程。由于较小的离子有较小的碰撞截面，以是较小的离子可以进入衬底和遮蔽层材料较深的位置。投影离子射程是离子注入技能的一个主要参数，由于它可以表明某一种掺杂物结深所需的离子能量，也能决定离子注入过程中所需的注入阻挡层厚度。
3、通道效应，离子在非晶态材料内的投影射程常日遵照高斯分布，即所谓的常态分布。单晶硅中的晶格原子整洁排列，而且在特定的角度具有很多通道。如果一个离子以精确的注入角度进入通道，它只要具有很少的能量就可以行进很长的间隔。这个效应称为通道效应。通道效应将使离子穿透到单晶硅衬底深处，并在常态掺杂物分布曲线上涌现“尾状”。#半导体芯片# #芯片# #半导体芯片家当# #离子注入# #工艺# #技能# #科技# #集成电路# #晶圆#
