中国蚀刻机之父、中微半导体设备公司创始人尹志尧在会上表示，只管中国在半导体设备领域间隔国外前辈还有很长的路要走，但截至今年夏天，中国半导体设备已经实现自主可控，而在未来5-10年内，中国半导体设备完备有可能达到以美国企业为首的国外前辈技能水平。
作为半导体行业大佬，尹志尧师长西席的话具有威信性。也便是说，我国已经办理了包括光刻机在内的集成电路生产所有核心环节设备的国产化替代，活下来已经不成问题！
接下来用5～10年的韶光追平国外最前辈水平是完备有可能的！
根据国行家业调查数据，截至2023年9月1日，我国就已经完成14纳米制程工艺所需的10大类材料、设备中的8大类设备国产化替代，公开的显示仅剩光刻机和离子注入机仍处于市场空缺。
紧接着，2023年9月15日，青岛四方思锐智能技能有限公司宣告推出海内首台高能离子注入机。官方宣扬这台设备能够支持28纳米制程工艺中各种细分工艺全覆盖，但实际上它也能支持部分14纳米制程工艺，包括用于制造逻辑电路的14纳米制程工艺。
那么国产光刻机又是啥时候完成国产化替代的呢？
2023年8月29日，华为溘然上市发卖搭载麒麟9000S的Mate60系列手机，随后有加拿大专业公司Techinsights和海内有博主对麒麟9000S进行拆解，通过显微镜扫描，结论是采取中芯国际N+2制程工艺，但是曝光工序能看到对准标志与ASML光刻机对准标志同等。彷佛我们仍未研制出支持28纳米及更前辈制程工艺的国产深紫外光刻机。
然而，2024年4月，华为发布的麒麟9010就不一样了。有博主拆解后，通过显微镜扫描创造这款芯片曝光工序对准标志与任何一款已知光刻机都不一样，这意味着麒麟9010采取的是全新未知型号的光刻机生产，最有可能便是国产光刻机，否则无法阐明为何麒麟9010光刻工序的对准标志分歧凡响。也便是说，我国最少在2024年4月以前就已经量产能够支持7纳米制程工艺的国产深紫外光刻机。至此，我国已经完成了14纳米制程工艺所需10大类材料、设备的全国产化！
14纳米制程工艺仅相称于10年前最前辈制程工艺，换句话说我国纯国产制程工艺生产线整体掉队10年。然而，这已经堪称亘古未有了！
由于没有一个国家能够依托本国技能打造前辈制程工艺生产线，哪怕是14纳米制程工艺也做不到！
以上剖析结果是基于已公布的得出的结论。然而，我国向来低调，特殊是半导体行业，奉行的是少说多做，或者只做不说原则，避免过渡刺激某些无下限国家导致半导体行业干系企业被无端牵连，我国制程工艺生产线实际的整体技能水平只会高于14纳米制程工艺。当然，这个中不用除部分设备关键零部件仍旧采取入口产品，但最少为国产前辈制程工艺争取更多发展韶光。
完成14纳米制程工艺国产化意味着留给境外竞争对手的韶光不多了根据威信机构统计数据，14纳米/12纳米及更掉队制程工艺市场份额达到52%。
目前我国境内能够量产7纳米制程工艺，虽然无法确定是否含有欧美技能，但在丑国各种绞杀下，仍旧顽强量产。2022年7月，加拿大Techinsights公司通过拆解证明，2021年中芯国际就已经节制了相称于7纳米制程工艺的N+2工艺，那么经由3年的发展，若和华为互助，完成5纳米制程工艺量产也不是不可能。
据理解行业领导者台积电4纳米制程工艺是基于5纳米制程工艺改进而来，3纳米芯片才是全新开拓的制程工艺。因此，只要我国量产5纳米制程工艺，那么与境外制程工艺的差距就缩小到1代。
行业大佬尹志尧称此前2-3年韶光，我国半导系统编制造干系企业完成了以往3-5年，乃至10年才能完成的事情。也便是说我国的半导体追赶速率是境生手业发展速率2-3倍。这意味着留给境外的韶光不多了。
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