三星认为High-NA EUV有利于逻辑芯片制造但存储器或面临成本问题_光刻_英特尔

三星卖力存储器生产的研究员Young Seog Kang表示，作为一名用户，更关心的是总本钱问题，目前Low-NA已经投入利用，芯片制造商可能更乐意利用Low-NA EUV以双重曝光或采取前辈封装技能作为补充，这可能是更经济可行的替代方案，而不是直策应用High-NA EUV来完成。
Young Seog Kang认为，逻辑芯片的布局更为繁芜，新技能可能在更永劫光内适用，而存储器在扩展新技能时，性能和本钱方面都存在潜在的寻衅。

比较于三星，英特尔对High-NA EUV的前景更为乐不雅观一些。
按照英特尔的新操持，将会在Intel 14A工艺引入High-NA EUV，英特尔掩模业务总经理Frank Abboud称，过往在DUV发挥主要浸染的相移掩模有望引入到EUV。
ASML系统工程总监Jan van Schoot概述了几种提高光刻分辨率和扩展EUV光刻运用的方法，表示正在研发新的光源和其他改进k1的策略，现在已经有了一些新想法。

JSR（光刻胶供应商）的总裁Mark Slezak认为，EUV技能可以持续20年，DUV技能的持续韶光也比预期要长得多。