捷捷微电取得可控硅芯片专利节省了芯片面积降低了制造成本提高了分娩效率_阴极_阳极

专利择要显示，本发明公开了一种横向构造的可控硅芯片，包括N‑型硅衬底，所述N－型硅衬底的上端设置有P型阳极区、P型阴极区、N+型阴极区、N+型截止环、阳极电极、阴极电极、门极电极和表面钝化层，所述P型阳极区和P型阴极区对称设置在N‑型硅衬底上真个两侧，所述N+型阴极区设置在P型阴极区上端面的内侧，所述N+型截止环设置在N‑型硅衬底上端环绕在P型阳极区、P型阴极区外侧，所述阳极电极设置在P型阳极区上端面，所述阴极电极设置在N+型阴极区上端面。
本发明可控硅芯片将有源区设置在芯片正面，取消了P+型穿通环构造的设计，且无需分压环就能知足VDRM＞900 V的哀求，节省了芯片面积，降落了制造本钱，提高了生产效率。

本文源自金融界