STM32 芯片内部的 FLASH 存储器，紧张用于存储我们代码。如果内部FLASH存储完我们的代码还有剩余的空间，那么这些剩余的空间我们就可以利用起来，存储一些须要掉电保存的数据。
本文以STM32103ZET6为例。STM32103ZET6属于大容量产品，其闪存模块组织如下：
其主存储器大小为512KB，分为256页，每页大小都为2KB。我们的程序一样平常默认烧写到第0页的起始地址（0x08000000）处。当BOOT0引脚和BOOT1引脚都接GND时，便是从这个地址开始运行代码的。这个地址在keil中可以看到：
如果我们要下载的程序大小为4.05KB，则第0、1、2页用于保存我们的程序，我们须要掉电保存的数据只能保存在第3页至第255页这一部分空间内。我们终极要下载的程序大小可在工程对应的.map文件中看到。.map文件可以双击工程的Target的名字快速打开，如：
下面对STM32的内部FLASH进行大略的读写测试：
STM32的内部FLASH读写测试
过程图如下（省略非常情形，只考虑成功的情形）：
示例代码：
本例的关键代码如下：
（1）进行解锁操作
STM32 的闪存编程是由内嵌的闪存编程/擦除掌握器(FPEC)管理 ，这个模块包含的寄存器如下：
STM32 复位后， FPEC 模块是被保护的， 不能写入 FLASH_CR 寄存器； 通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块（即写入 KEY1 和KEY2） ， 只有在写保护被解除后， 我们才能操作干系寄存器。 固件库中的函数为：
void FLASH_Unlock(void);
（2）擦除将要写的页
STM32 的 FLASH 在编程的时候，也必须哀求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的（也便是其值必须是 0XFFFF），否则无法写入，在 FLASH_SR 寄存器的 PGERR 位将得到一个警告。 STM32 的闪存擦除分为两种：页擦除和整片擦除。 也便是其最小擦除单位为1页，只管你只需往某页里写10个字节数据或者更少的数据，你也必须先擦除该页（21024个字节）。我们这里利用按页擦除，固件库中按页擦除的函数为：
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
其返回值为列举：
（3）往上一步擦写成功的页写入数据
STM32 闪存的编程每次必须写入16 位。虽然固件库中有如下三个写操作的函数：
分别为按字（32bit）写入、按半字（16bit）写入、按字节（8bit）写入函数。32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不抵牾。 写入 8 位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥差异。
（4）写入操作完成后进行上锁操作
对FLASH进行写操作完成后要进行上锁操作，对应的固件库中函数为：
void FLASH_Lock(void);
（5）读出数据
固件库中并没有与读操作的函数。读操作实在便是读取FLASH某个地址的数据。
（6）比拟写入的数据与读出的数据是否相等
末了比拟我们写入的数据与读出的数据是否完备同等，若同等则表明读写测试成功，否则失落败。
程序实行结果：
可见，读出的数据与写入的数据同等，表明读写测试成功。
末了
STM32的内部FLASH读写步骤大致如上，有时候我们还须要封装一些读写函数，但步骤大都如上。写入数据之前须要前辈行擦除操作。以上便是本次的条记分享，如有缺点，欢迎指出！
