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OVP过压保护芯片,IC起什么浸染_耐压_芯片

雨夜梧桐 2024-08-31 11:58:40 0

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OVP过压保护 IC:为了保护后级电路,平芯微早早推出了系列 OVP过压保护芯片产品,很多客户对付 OVP过压保护芯片的功能和利用仍旧存在一些误解。
这次我们平芯微就针对 OVP过压保护芯片功能利用做详细的描述和先容。

首先我们须要先看下芯片规格书的描述(如下图),有一定理解后,我们再往下给大家讲解。

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(图片来自网络侵删)

下图是我们手绘的输入电压 VIN和输出电压 VOUT和过压阈值 OVP三者的关系和芯片内部框图。

1, 当输入电压 VIN是 5V时,输出电压 VOUT也是 5V;

2, 当输入电压 VIN是 9V时,输出电压 VOUT也是 0V;

3, 当输入电压从 5V提高到 9V时,电压在 uS韶光下看是斜坡形上升的(需用示波器查看),由于 OVP过压保护芯片的目的是保护后级电路的安全,不受高压的危险,导致破坏后级电路,以是哀求 OVP过压保护芯片须要要过快的相应韶光,平芯微的以下 4款 OVP过压保护产品,都具有极快的 OVP相应韶光 0.05uS,在 OVP阈值达到时,快速关闭芯片内置 MOS,使得无输出电压,保护后级电路。

PW2605 (输入耐压 36V, SOT23-3封装, OVP阈值 6.1V, 1A电流,内阻 350mΩ );

PW2606B(输入耐压 40V, SOT23-6封装, OVP阈值 6.1V, 1A电流,内阻 350mΩ );

PW2606(输入耐压 40V, SOT23-6封装, OVP阈值 6.1V, 2A电流,内阻 100mΩ );

PW2609A(输入耐压 40V, SOT23-6封装, OVP阈值可调, 3A电流,内阻 35mΩ );

OVP 过压保护芯片选型时的其他紧张参数:

1,内置 MOS的内阻阻抗

[ 电压压差 ] 根据欧姆定律: R(内阻) x I(电流) =V(压差),内阻越高时,输入电压和输出电压的压差也越高。

[ 芯片温度 ] 内阻越高时,芯片发热量也提高。

[ 电流大小 ] 内阻越低时,可以通过更高的电流,如 PW2609A可做 3A运用, PW2606是 2A, PW2606B/PW2605是 1A,须知大部分 OVP过压保护芯片无限流功能,如需再增加限流功能,除了本钱增加外,电路也增加,平芯微也有系列带 OVP过压保护和可调限流功能的系列产品,如: PW1515, PW1555, PW1558。

2,输入端耐压

由于电源的特性,输入上电瞬间会产生尖峰电压,以是须要芯片输入端有足够的耐压。

PW2605/PW2606B.PW2606/PW2609A输入耐压都在 40V旁边,可以抗住 12V的输入尖峰测试,

当输入 20V尖峰测试时,在输入端加个电解电容做接管,使得尖峰电压在 30V以下,远低于我们芯片耐压,担保安全性。

如:面对后级电路的耐压是 15V时,如果电路中由于高度限定没加电解电容时,输入 12V时,由于电源的特性输入上电瞬间,会产生尖峰电压,瞬间的尖峰电压可能会达到 16V,18V等等,超过耐压 15V,造成破坏。
也可以加 PW2609A起到过压保护浸染。

如:快充充电器,市情上快充充电器产品质量的参差不齐,也须要平芯微的过压保护芯片提高安全性和质量可靠性。

如: TWS耳机,电子烟这种靠近人头部利用产品,更须要平芯微的过压保护芯片提高安全性和质量可靠性。

在过压保护芯片产品利用中,很多利用在锂电池充电芯片前面做保护旁边,为了节省 PCB设计和本钱。
平芯微也有多款集成了 OVP过压保护的锂电池充电芯片:

PW4056HH, SOP8封装 4056脚位,双 LED灯, 1A充电, OVP阈值 6.8V,输入耐压 28V;

PW4057H, SOT23-6封装 4057脚位,双 LED灯, 0.8A充电, OVP阈值 6.8V,输入耐压 28V;

PW4054H, SOT23-5封装 4054脚位,单 LED灯, 0.5A充电, OVP阈值 6.8V,输入耐压 28V。

在面对锂电池放电时,如碰着大功率放电溘然断开时,也会产生非常尖峰高压,平芯微针对以上三款新品,对付 BAT电池端引脚耐压从普遍 6V设计,提高了 3倍以上,采取了 20V耐压,提高质量可靠性。

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