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专利择要显示,本发明提出了一种芯片电性失落效剖析的方法,属于半导系统编制造技能领域,所述方法至少包括:供应一基板,包括相对设置的第一表面和第二表面;在所述第一表面和所述第二表面设置导电线路;在所述导电线路上形成保护层,所述保护层暴露所述第一表面上的部分所述导电线路;将晶粒粘接在所述第一表面上,且所述晶粒与暴露的所述导电线路电性连接;在所述第一表面上形成密封膜,所述密封膜覆盖所述晶粒;在所述第二表面上植入多个焊球;将多个所述焊球表面进行摩擦,形成平面,所述平面位于阔别所述基板的一侧;以及将金属导线焊接在所述平面上,进行电性失落效剖析。
本发明供应的一种芯片电性失落效剖析的方法,能有效提高芯片失落效剖析测试的效率及准确性。
本文源自金融界

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