纳芯微推出国内首款集成隔离DC／DC电源的数字隔离芯片_电源_暗记

海内领先的旗子暗记链芯片及其办理方案供应商苏州纳芯微电子株式会社（以下简称“纳芯微电子”）今日宣告推出海内首款集成了隔离DC/DC电源的数字隔离芯片 NSiP884x。
基于纳芯微电子独占的TFPowetTM技能，NSiP884x 系列产品将内置有片上变压器的隔离DC/DC电源电路以及四通道高速数字隔离集成在一起，用户只需在电源输入输出上各加两个滤波电容就能实现电源隔离和旗子暗记隔离，全集成式的方案极大程度地降落了用户的开拓难度，节省了用户开拓韶光，可帮助用户更快地将产品推向市场。

纳芯微推出海内首款集成隔离DC/DC电源的数字隔离芯片NSiP884x

纳芯微电子于2017年推出标准数字隔离芯片产品，现已得到国内外浩瀚大客户的认可，包括两/三/四通道标准数字隔离芯片、双向I2C数字隔离芯片、隔离 RS-485 收发器等在内的产品均已批量出货。
这次推出的 NSiP884x 系列产品从根本上办理了隔离电源的设计难点，用户不必再为如何选取高可靠性、参数得当的变压器而烦恼，高集成度的特性使得 NSiP884x 尤实在用于体积受限的运用处所。
NSiP884x 系列产品采取标准的 SOIC16 传统封装，制造全程稳定可控，出厂时经由了严格的耐高压测试和性能参数测试，产品具有同等性高，可靠性高的特点，适用于对可靠性哀求极高的车载和军工运用环境。

NSiP884x内部功能示意图

在办理电源隔离和旗子暗记隔离的难题时，比较常见的运用方案是将隔离电源模块搭配数字隔离芯片或光耦，或是通过外加变压器搭建隔离电源的方案来办理上述问题，但隔离电源模块存在如下一些缺陷：

• 器件体积较大、高度较高，运用处所受限

• 不易实现高耐压，特殊是加强绝缘

• 无数字隔离通道

• 可靠性较低

• 本钱较高

在办理电源隔离和旗子暗记隔离的难题时常日采取隔离电源模块的方案

相较于上述方案，NSiP884x 实现了单颗芯片同时办理电源隔离和旗子暗记隔离的双重难题，利用操作更加大略，并且不须要设计繁芜的隔离电源电路。

NSiP884x 性能特点

• 内部集成电源和旗子暗记隔离，集成度高，易用性强

• 输出负载能力大于100mA

• 高隔离耐压 >5kVrms

• 事情效率达到48%

• 事情温度范围：-40摄氏度~125摄氏度

• 宽输入输出范围：支持3.3-5.5V input

• 高抗EMC性能：超过10kV的系统ESD能力，超过10kV的浪涌能力

• 低EMI性能：满载输出，通过大略PCB设计，知足CISPR 32 CLASS B的哀求

• 具有过温保护和输出短路保护

• 具有softstart功能

• 支持电源电压和数字隔离逻辑电平分开

• 支持电源输出不使能，低功耗模式

NSiP884x 采取 SOIC16WB 封装形式，可与市场上主流的同类产品 pin to pin 兼容。
NSiP884x 的电源事情效率为48%，比同类产品赶过15%，事情温升值为68.5摄氏度，支持 softstart 电源特性，低EMI的特性使其更适用于对可靠性有哀求的运用环境。

NSiP884x的事情温升值为68.5摄氏度，同类产品的事情温升值为164.3摄氏度

NSiP884x 系列产品具有精良的性能，并兼具有极高的性价比。