长鑫存储申请半导体芯片、半导体器件及其形成方法专利降低了半导体器件的制造难度_暗记_所述

专利择要显示，本公开涉及一种半导体芯片、半导体器件及其形成方法。
所述半导体芯片包括：基底，包括顶面和底面；多对相互独立的旗子暗记通孔组，各所述旗子暗记通孔组在基底中间隔排布，且每对所述旗子暗记通孔组中的两个所述旗子暗记通孔组关于所述基底的顶面上的一条轴线对称分布，且分别分布于所述轴线两侧的第一区域和第二区域，所述轴线平行于第一方向或第二方向，每个所述旗子暗记通孔组包括以多边形形状排布的多个旗子暗记通孔，每个所述旗子暗记通孔组中任意两个所述旗子暗记通孔电性隔离，每个所述旗子暗记通孔沿第三方向贯穿所述基底。
本公开减少了形成半导体器件的过程中所须要的掩膜版数量，降落了半导体器件的制造难度。

本文源自金融界