但本日，笔者要跟大家聊一聊快充产品另一项技能的演进——快充PWM掌握技能。一贯以来快充PWM掌握器的一个关键点便是输出电压可调，且可调电压范围较宽（终极的PD协议哀求范围为3-21V），而这些带来的最大问题便是PWM掌握芯片VCC耐压不敷。常见的方法例如普通PWM掌握器VCC增加线性LDO降压，或者PWM芯片采取VCC高压工艺等。但这些方法实质上都是在做加法，增加线性LDO电路，增加了器件同时又增加了本钱，电路也变得繁芜，对待机功耗也产生了影响；芯片VCC采取高压工艺，增加了IC的本钱，同时VCC的滤波电容耐压也会成倍提高，本钱和器件体积会同时增加。
在当下这个电子产品供大于求的环境下，本钱竞争已进入了白热化，特殊是在适配器、充电器产品中，本钱风雅化程度可以说是分毫必究，小功率的适配器、充电器本钱已成为了产品生存的关键成分。这时就须要技能创新来冲破僵局，在很多人都做加法设计的时候，笔者也看到了一些不一样的产品，他们是在做减法设计，采取VCC自供电技能，省去VCC赞助绕组及其干系整流电路。
自供电技能早在多年以前，就已经涌如今高校的博士论文中，最初因此原边反馈架构（PSR）为根本设计，采取源极驱动办法，通过掌握内部源极驱动管来进行VCC充电。但因无VCC赞助绕组做反馈旗子暗记，只能采取浮地式设计，通过采样主绕组中的反射电压来掌握电路进行恒压输出。这样的设计存在一个较大的系统劣势，采取浮地设计后，系统中电压动点变多，EMI效果明显较差，须要额外增加EMI滤波器件，其余原边反馈架构动态效果较差，而且在快充协议中，多须要副边反馈来进行电压申请，以是原边反馈架构的自供电方案并不得当做充电器及适配器类产品。
为适应市场需求，针对快充产品的分外设计痛点，应运而生了副边反馈自供电双绕组方案。但自供电双绕组方案仍旧存在一些技能难点，紧张存在待机功耗较大的问题，难以知足欧盟的六级能效哀求。
如上图自供电系统通过R1电阻给Q1功率管供应基极电流，经由Q1放大电流利过D2给Vcc外接电容C2供电，而C2供应全体开关电源掌握芯片的事情电流，由于给C2供电时Q1管的基极电流只由R1供应，而为了考虑R1上损耗的问题，R1常日选取MΩ级别电阻，因此Q1在给C2供电时处在放大区，并没有饱和导通，以是Drain端电压靠近高压输入电压，导致供电的损耗较大，难以做到六级能效标准。
Vin：输入电压；I_R1：R1上的电流，为Q1供应一部分基极电流；Ib_Q1：Q1管的基极电流，在导通时基极电流紧张由驱动供应，截止时R1给Q1供应较小的基极电流以使放大的Q1的IC电流给Vcc供电；Vgs_M2：源极驱动管的Vgs电压。
针对六级能效标准，须要采取分外的VCC供电处理技能来知足待机功耗需求。在电源事情频率较高时可以通过自举供电担保VCC供电充足，但对付适配器或充电器等产品，存在空载事情模式，而空载时事情频率常日较低，且原边导通韶光较短，因此纯挚的自举供电办法无法知足芯片事情电流的需求。在原边导通时仍旧采取自举供电办法给VCC电容供电，但由于频率低，一次自举供电的电量无法坚持芯片全体周期的花费的电量，则多个周期后VCC电容会持续放电至欠压保护，因此须要在轻载或空载时，一段韶光内计时开启高压供电，以知足芯片耗电需求。通过采取自举供电和高压供电相结合，可在降落空载待机功耗的同时，知足VCC供电需求。
上述自供电技能已日趋完善，国内外浩瀚芯片设计公司也在积极进行专利布局，业内也已有多家厂商推出了成熟产品，并已进入量产阶段。特殊是一些海内IC设计厂商，已走在行业前列，相信很多业内人士对自供电双绕组方案也都有所耳闻，就在去年的2018（冬季）中国USB PD快充家当高峰论坛上，就有一家厂商对其自供电双绕组产品进行了宣讲先容，有兴趣的朋友可以点击以下链接回顾理解。
此外，在上周刚刚结束的2019（秋季） USB PD＆Type-C亚洲展上，该厂商对其多款成熟的自供电双绕方案进行了先容，助推了这项技能的遍及运用。随着这项技能的进一步完善，下贱厂商将得到更为高效节能、安全可靠且本钱更低的快充产品办理方案，快充市场格局或将为之改变。笔者相信未来会看到更多的自供电技能产品涌如今快充展会上，这项技能能否带来行业技能改造，让我们拭目以待。
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