长鑫存储申请半导体结构与半导体结构的形成方法专利改进了半导体结构中应力集中的问题_所述_偏向

专利择要显示，一种半导体构造及其制造方法，该半导体构造包括：衬底、第一缓冲构造、第二缓冲构造和导电构造，衬底包括相背的第一壁和第二面；第一缓冲构造位于所述衬底中，且沿第一方向延伸，所述第一方向为由所述第一壁指向所述第二面的方向；第二缓冲构造位于所述第一缓冲构造的部分侧壁上，且沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；导电构造位于所述第一缓冲构造中，且沿所述第一方向延伸。
本公开供应的半导体构造提高了应力开释能力，改进了半导体构造中应力集中的问题。

本文源自金融界