吉莱微取得一种低电容低残压单向ESD保护器件及其制作方法专利在芯片面积不变的前提下经由进程合理的结构设计获得更低的电容和更低的残压_光刻_金属

专利择要显示，本发明公开一种低电容低残压单向ESD保护器件，在P‑衬底材料上，正面光刻、磷注入、推进，形成N‑扩散区，正面光刻、硼...