1、TO：Tape Out，流片，指提交终极GDSII文件给到Foundry进行fab加工。
2、MPW：Multi Project Wafer，多项目晶圆，将多个利用相同工艺的集成芯片放在同一晶圆片上进行流片，制造完成后，每个设计可以得到数十片芯片样品，多用于出前期工程片。
3、Full Mask：全掩膜，即制造流程中全部掩膜都为某集成芯片设计做事，小批试产及量产阶段。
4、Shuttle：MPW韶光，每月或每季度固定时间，即“班车”。
5、SEAT：一次MPW的最小面积，可一次选择多个Seat。
6、Wafer：晶圆，多为8寸、12寸。
7、notch：缺口，用于判别晶圆方向。
8、Yield：良率，CP良率、FT良率、综合良率。
9、CP：Circuit Probing、Chip Probing，晶圆测试，一样平常遍历测试整片Wafer的每个die，确保die知足DC、AC、功能设计哀求。一样平常有多道CP，如MCU类芯片：CP1、CP2测试Flash，CP3测试定制化功能，CP4高温测试等。CP测试项理论上较FT测试项多，提前筛除Fail die以节省本钱，且一样平常情形下CP测试扎针pad少，同测Site数多，机时本钱较FT低。
10、FT：Final Test，终测、成测，对package后的芯片进行定制化测试，芯片出厂前末了一道关卡。
11、Foundry：晶圆厂，如台积电（TSMC）。
12、Die：wafer切割后的最小单元，即封装前的芯片。
13、Chip：芯片，即我们见到的封装好后的芯片。
14、IP：Intellectual Property Core，非网络中所说的IP地址、IP协议，而是芯片设计行业中的IP核，即知识产权核，是可重用设计方法学中的可重用模块，如UART、SPI、IIC等。
15、SOC：System On Chip，片上系统，包含CPU、总线、外设等都在一颗芯片内部实现。
16、MCU：Microcontroller Unit，微掌握器单元，观点和SOC类似，但MCU是芯片类型，SOC是设计办法。将CPU、memory、Timer、ADC、DMA等整合在一颗芯片上，形成的微型芯片级打算机。
17、RTL：register-transferlevel，描述同步数字电路的硬件描述措辞。
18、Netlist：网表，RTL经由综合天生。
19、SDC：设计供应约束文件，综合工具须要SDC才能将RTL转换成netlist，紧张包括：芯片事情频率，芯片IO时序，设计规则，分外路径等。
20、GDS：netlist经由后端工具编程版图，而版图提交给foundry的便是GDS II
21、Merge：拼接，将模块、程序等合并。
22、Margin：边界，如Margin Test以确定芯片设计高下限值是否知足需求。
23、OD：针压，指CP测试阶段，Prober扎在wafer pad上的机器压力值，一样平常根据工艺、晶圆、测试者履历、弹坑实验确定。
24、弹坑：弹坑实验，CP厂利用不同的针压力对未扎过针的die进行扎针验证，在封装厂进行铝层堕落后，不雅观测哪组针压下涌现弹坑；将结果反馈CP厂，由其参测验验结果调度在CP测试时施加针压大小。弹坑实验die作报废处理，在wafer制程及pad铝层厚度不变情形下，只需进行1次弹坑实验。
25、TD：Touch down，下针，CP测试中单次扎针。
26、fab：将设计文件交付工厂生产的过程，也代指fab厂。
27、layout：设计。
28、tolerance：容忍度，一样平常在LB布局布线时提到，如测试项哀求有哪些Pin脚的走线线长要同等，阻抗限定等。
29、LB：Load Board，ATE上放置的根据不同芯片定制的母版，用以承载芯片进行批量测试。
30、probe：探针，一样平常指CP阶段给pad扎针的针，在针卡上，针卡需针对wafer定制。
31、prober：放置并传输wafer的机器，CP测试时的设备。
32、Site：测试座位，一样平常指同测数，需根据芯片测试所需资源评估同测数量。
33、Socket：测试座、治具，芯片放置个中，需定制。
34、Kit：FT量产测试时利用，连接Handler和LB，吸取芯片并压紧进行测试后分bin，需定制。
35、Handler：机器手，安装Kit后设置操作流程自动进行FT测试。
36、ATE：Automatic Test Equipment，自动化测试设备，专用于芯片量产测试，量产测试工程师用饭的家伙。
37、板卡：ATE内部搭载的资源，不同板卡不同功能、资源，搭配不同板卡可实现各种测试哀求。
38、probe card：针卡，一样平常根据芯片pad位置定制针卡，分为工程卡和量产卡，对应调试阶段和量产阶段，插在共板上连接测试机。
39、GU：Golden Unit，金手指，也叫Golden Sample，指经由测试验证的good chip，可用于环境调试时验证环境是否正常。
40、pitch：中央距（间距），die pitch、pad pitch。
41、cable：cable连接线，一样平常一端连接测试机母板，一端连接芯片测试板。
42、IQC：Incoming Quality Control，来料考验。
43、bake：烘烤，CP测试中可选步骤。
44、pad：die的pin，pad数量多于pin数。
45、pin：chip的pin。
46、map：一样平常用在wafer测试中，显示测试结果pass/fail、分bin等。
47、UV：紫外线照射，封装时进行，memory芯片除外。
48、自主回收：CP、FT测试中对第一次测试fail die的处理，将对其自动进行重新复测，称为自主回收。
49、package：封装，wafer做完CP测试后，会在封装厂经由磨划、抛光、切割等工序，形成die，同时将CP测试中暴露出的fail die挑粒，末了对good die进行封装，进行FT测试。
50、Bin：分类，测试时pass/fail芯片放置或编号作区分，分为HW Bin和SW Bin，Bin号由工程师定义，一样平常与DC、AC等测试参数干系。
51、Spacing：间距。
