1、晶体单元的实际驱动电平超过其指定的最大值。
2、实际负载电容与规范中的指定值不同。
3、振荡不正常。
1、晶体单元的实际驱动电平超过其指定的最大值.主要的是压电石英晶振单元的实际驱动电平在驱动电平规范内，过高的驱动电平可能导致更高的振荡频率或更大的R1，请参考下面的如何丈量驱动电平。
如果要将驱动器级别调低，可以采纳以下方法：
方法1:
①要改变阻尼阻力大。
②通过改变阻尼电阻，反相放大器的输出幅度衰减，实际驱动电平变低。
③通过这种变革，振荡幅度将低落.因此，最好检讨振荡裕度是否超过5倍。
④其余，须要把稳振荡幅度不要变得过小。
方法2:
①改变外部负载电容小。
②通过改变外部负载电容，由于振荡电路的高阻抗，实际驱动电平变低。
③在这种情形下，由于负载电容小，石英晶振的实际振荡频率变高.因此，最好检讨实际振荡频率是否在想要的频率范围内。
2、实际负载电容与规范中的指定值不同
晶体单元的振荡频率按照其规范中规定的负载电容进行分类.因此，如果实际负载电容与规范中规定的负载电容不同，则实际振荡频率可能与晶体单元的标称频率不同.可以通过以下方法调度此频率差异。
方法1:
①调度外部负载电容。
②为了改变外部负载电容，实际振荡频率变低。
③如果外部负载电容很大，请把稳振荡裕度会很低。
④通过大的外部负载电容，振荡幅度可能很小。
方法2:
①改变指定不同负载电容的晶振单元。
②为了运器具有大负载电容的晶体单元，实际振荡频率变高。
③例如:须要30MHz的频率，并利用规定频率为30MHz的晶体单元作为负载电容，额定频率为6pF。
④但是确认实际振荡从30MHz低至30ppm。
⑤实际电路板上的负载电容彷佛大于6pF.以是用8pF作为负载电容改变指定30MHz石英晶振单元，通过这种变革，实际振荡频率从30MHz低至5ppm，可以调度频率差。
3、振荡不正常
振荡电路可能不在晶体单元的标称频率附近事情，它被称为"不规则振荡",如果C-MOS逆变器不是非缓冲型,可能会发生这种情形。通过调节阻尼电阻和外部负载电容，可以减少不规则振荡的可能性。为了从根本上办理这个问题，须要运器具有非缓冲型C-MOS逆变器的IC.当创造不规则振荡时，请联系IC制造商确认C-MOS逆变器是否为非缓冲型，如果考虑的IC不是非缓冲型，请考虑将IC改换为具有非缓冲型C-MOS逆变器的替代型IC。
