扬杰科技申请提高器件功率密度的半桥整流芯片及其制备方法专利器件功率密度是传统半桥器件的2倍_芯片_器件

专利择要显示，提高器件功率密度的半桥整流芯片及其制备方法，涉及半导体技能领域。
传统半桥器件须要将两个二极管芯片反向并联封装，封装工艺流程繁芜，封装本体大，造成器件功率密度的降落和本钱的增加，本案中半桥整流芯片将两个反向并联的二极管集成在一个芯片上，第一阳极到第一阴极区域的二极管垂直导电，第二阳极到第二阴极区域的二极管水平导电，有效利用了芯片的面积，利用本案中半桥整流芯片只须要封装一个芯片，封装工艺步骤和本钱降落，利用本案中半桥整流芯片可以减少一半的芯片利用量，器件功率密度是传统半桥器件的2倍。

本文源自金融界