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AT24C02C-SSHM-T/AIP24C02A最新中文资料_地址_操作

萌界大人物 2024-09-20 11:51:29 0

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其紧张特点如下:

● 写保护引脚供应硬件数据保护

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● 宽事情电压范围: 1.8V~5.5.V

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(图片来自网络侵删)

● 存储器内部构造为: 256×8(2K)

● 两线串行接口

● 施密特触发器,抑制输入噪声

● 双向数据传输协议

● 400 kHz(1.8V~2.5V) 和 1MHz(2.5V~5.5V) 时钟范围

● 8-byte 页(2K)

● 许可部分页写操作

● 自定时写周期(最大 5ms)

● 高可靠性: 擦写次数: 100 万次;

数据保存: 100 年

● 封装形式: DIP8、 SOP8、 TSSOP8

根本参数

接口类型: I2C

存储容量: 2Kbit

时钟频率(fc): 400kHz~1MHz

事情电压: 1.8V~5.5V

读-事情电流: 0.2mA@VCC=5.5V,400kHz

写-事情电流: 0.8mA@VCC=5.5V,400kHz

待机电流: 3uA@VCC=5.5V

写周期韶光(Tw): 5ms

数据保留 - TDR(年): 100 年

写周期寿命: 1,000,000次

事情温度: -40℃~+85℃

批量价只要0.12

尺寸最大值

互换参数

图1

图2

图3

功能框图

引脚图及功能

功能先容

4.1.3、 停滞(STOP) 状态:当 SCL 为高时 SDA 发生从低到高的转换,就产生了停滞状态(如图 4 所示)。
在进行了一系列的读操作后, STOP 命令将会使 EEPROM 进入备用电源模式(standby power mode)。
4.1.4、 应答(ACKNOWLEDGE):当所有的地址和数据以 8-bit 形式串行传入和传出 EEPROM 后, 在第九个时钟周期时, EEPROM将会发出一个低电平旗子暗记来应答,解释它已收到每一个字。
4.1.5、 待机模式(STANDBY MODE):AiP24C02A 有一种低电量备用模式(low-power standby mode),当上电或吸收到 stop 命令并完成内部操作后,即会进入 STANDBY 模式。
4.1.6、 存储器复位:在协议中断、掉电或系统复位之后,电路按下面的步骤复位:1. 时钟上升延到达第 9 个周期2. 当 SCL 为高时,每个周期中的 SDA 为高3. 当 SDA 为高时,创建一个开始状态

4.3、写操作4.3.1、 字节写:写操作的初始化过程包括器件地址、应答旗子暗记和一个 8 比特数据字地址。
吸收到数据字的地址之后, EEPROM 将再次发送一个低电平相应,然后时钟读入第一个 8 比特数据。
8 个比特的数据全部吸收完成后, EEPROM 将送出一个低电平相应,接着,寻址的器件(例如微处理器)必须发送一个停滞条件旗子暗记来结束写命令过程,此时, EEPROM 就进入一个内部定时的写周期(twr),将数据写入存储器的物理介质,在写入期间,所有外部输入均被终止,直到写数据完成, EEPROM 才会再相应,如图8。

4.3.2、 页写:

AiP24C02A 的 EEPROM 是 8 比特页写。
页写的初始化过程和字节写相同。
但是,在时钟读入第一个 8 比特数据之后,微处理器并不是发送一个停滞旗子暗记,而是在 EEPROM 吸收完 8 个比特的数据、发出一个相应之后,接着传送剩下的 7 个数据字, EEPROM 吸收完每一个数据字之后都将发送一个低电平相应。
微处理器必须发送停滞命令来结束页写命令,如图 9。

在吸收完每一个数据字后,数据字地址的低三位内部就自动加一,高位地址不变,仍为原存储器页所在的行位置。
当增量使地址到达页边界的时候,接下来的字节将被写入该页的起始位置。
这便是说,如果大于 8 个数据字传送给 EEPROM,数据字地址将“翻滚”,以前的数据将被覆盖。

4.3.3、 应答轮询:

一旦内部定时写周期启动并且 EEPROM 的输入失落效,应答轮询将启动。
这包括发送一个开始旗子暗记和器件地址字。
读/写位是所须要的范例操作。
只有当内部写周期完成后, EEPROM 才会输出低电平作为许可读或写过程连续的旗子暗记。

4.4、 读操作

读操作的初始化过程与写操作相同,只是读/写选择位 R/W 要置 1。
读操作有当前地址读、随机地址读和顺序地址读三种模式。
4.4.1、当前地址读操作:

在末了一次读/写操作期间,内部数据字地址计数器保持为末了一次操作的地址,操作完成后,自动加一。
操作期间,只要电路的供电正常,这个地址都保持有效。
读操作的地址“翻滚”是从存储器末了一页的末了一个字节跳到第一页的第一个字节,而写操作的“翻滚” 是从当前页的末了一个字节跳到同一页的第一个字节。
一旦器件地址和读/写选择位 R/W(为“1”)被读入、 EEPROM 发出相应旗子暗记,当前地址的数据字就被串行读出。
微处理器并不产生一个输入低电平相应,而是随后产生一个停滞命令,如图 10。

4.4.2、 随机地址读操作:

随机地址读操作须要一个“虚”字节写操作来加载数据字地址。
一旦器件地址和数据地址被读入、EEPROM 发出相应,微处理器必须再产生一个开始命令,接着,微处理器就可以通过发送一个器件地址(R/W 为 1)来初始化地址计数器。
EEPROM 对这个器件地址做出相应,并将数据串行读出。
微处理器不产生低电平相应,而是随后产生一个停滞命令,如图 11。

4.4.3、 顺序地址读操作:

顺序地址读操作可以通过一个当前地址读操作或一个随机地址读操作来初始化地址计数器。
微处理器吸收到数据之后,做出相应,只要 EEPROM 吸收到这个相应旗子暗记,地址计数器就加一,并将数据串行读出。
当到达存储器最大地址的时候,地址将“翻滚”,连续顺序读操作。
如果微处理器不产生低电平相应,而是随后产生一个停滞命令,顺序读操作就会被终止,如图 12。

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