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专利择要显示,本申请履行例公开了一种芯片凸点制造工艺、封装工艺及芯片。芯片制造包括晶圆加工和封装,芯片凸点制造工艺在晶圆加工阶段完成,包括:步骤1、在上表面敷设有顶层金属层的基底上沉积钝化层,覆盖基底上表面和顶层金属层,确定凸点区域,在钝化层上的凸点区域进行凸点开窗,露召盘层金属层;步骤2、在钝化层上沉积凸点金属层,凸点金属层通过凸点开窗与顶层金属层电性打仗;步骤3、刻蚀形成凸点,通过刻蚀撤除凸点区域之外的凸点金属层,保留凸点区域的凸点金属层以形成凸点。本申请芯片凸点制造工艺在晶圆加工阶段完成,即在晶圆厂完成凸点的制造,比较在封装厂加工凸点,在晶圆厂制造凸点的精度更好。
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