大略点说EVM：Error Vector Magnitude，即偏差向量幅度。这个指标是发射机发射旗子暗记质量的关键指标，一样平常采取仪器（标准吸收机）解调旗子暗记后测得，在旗子暗记星座图上有非常直不雅观的表现，即实际点与标准点之间的偏差。如果偏差过大，吸收机可能会将数据缺点解码。
调试发射旗子暗记，我们最关注的即是EVM。如果EVM不好，那我们的产品就不算调试OK，当产品通信过程中发射旗子暗记时，哪怕旗子暗记再强，吸收端都无法精确解调数据。
通过对EVM有问题的产品进行手动测试，创造这些不良品11n HT20/HT40 MCS7速率模式在目标功率下EVM颠簸很大，对应星座图上的表现便是这些小点一直抖动，而且时而离理论中央点很近，时而离理论中央点较远。详细来说，EVM差时只有-25dB，好时有-33dB，有规律的循环变动。我们哀求的EVM通过指标是-28dB（越小偏差越小，小于此值为通过），以是部分不良品某些时候测试不过。
大概理解了问题的情形，我推测有以下几种可能：外置PA事情不稳定，收发射频芯片输出不稳定，射频开关以及吸收通路对发射的影响，电源系统有问题。当然，以上四种情形不是完备分开的，由于末了者出问题可能导致前两者的问题。但是，急速基本打消了匹配电路的影响，由于匹配电路是一些小的电容电感，它们都是一些较“静态”的器件，不会让EVM产生颠簸。如果EVM有时能够达到-33dB，解释匹配电路该当是没有问题的。
后面我调低了发射功率，EVM仍旧颠簸很大，也没有整体的提高。为了打消外置PA以及射频开关、吸收通路的影响，我直接将Cable焊至PA前段，测试收发射频芯片的输出旗子暗记，发射旗子暗记EVM仍旧不甚空想，颠簸很大，较天线端没有明显提升。这样下来，只可能是收发射频芯片输出不稳定和电源系统的问题了。
这种颠簸让我想到了电源的纹波，也是周期性的。射频芯片输出颠簸可能也与供电的质量有关。于是我开始着重检讨电源的影响。射频芯片利用两种电压的电源，3.3V和1.2V，芯片引脚只纯挚的将两种电压分别分为AVDD与DVDD，而没有标出它们在芯片内部的详细用途，这给我们非常有针对性的检讨增加了难度，以是我们只能按照电源主干到分支来检讨。
采取DC POWER分别代替板上的3.3V和1.2V供电，创造在代替1.2V供电后5G频段的EVM较稳定，基本能坚持在-32dB高下1dB以内，这样就将问题定位于1.2V的电源供电问题。
这时我考试测验变动产生1.2V电压的DC-DC芯片的外围电路，但都不能让其坚持射频芯片输出旗子暗记EVM不明显颠簸。DC-DC产生1.2V后经由了磁珠，我较随意的换了几种规格的磁珠，也不能办理问题。于是，我进一步向电源后段剖析，分别采取DC POWER代替板上的1.2V AVDD及1.2V DVDD给射频芯片供电，只有在代替板上1.2V AVDD时，问题消逝，代替另一分支电源，问题仍旧存在。这也与我的预见符合，这种情形，一样平常是仿照部分电源的问题。通过以上验证得出结论，射频芯片1.2V DVDD引脚没有受其它部分影响，也不会影响其它部分，而芯片1.2V AVDD引脚受到了影响。
利用示波器测试1.2V AVDD电压纹波，没有创造非常。这个影响到底从何而来，现在还不得而解，可能是前端电源，也可能是射频芯片各1.2V AVDD引脚之间。
我考试测验变动1.2V AVDD总支处的滤波电容，原来的组合是两个22uF、一个10pF、0.1uF多少、0.01uF多少。将个中一个22uF电容变动为4.7uF后，5G频段EVM颠簸的问题消逝。我推测是电源里的一个低频身分被滤除了，之前会通过电源进入射频芯片敏感模块，从而导致问题。但是我利用示波器比拟测试改进前后的电源波形，没有创造什么异样。这点让我觉得很困惑。
1.2V AVDD在总支经由这些电容后，会分别经由串联的0欧姆电路（起预留隔离浸染）及到地小电容进入芯片引脚。我打算考试测验各分支独立剖析，但芯片周围鄙吝件飞线太麻烦，在弄掉两台样机焊盘后，我妥协了。其它事还等着处理，这个还是暂且不再穷究了。初步验证完变动大电容对其它指标没有影响后，我就赶紧让工厂验证变动大电容做法的可行性了。
总结来看，还是芯片某个1.2V AVDD引脚处的杂散进入射频芯片其它1.2V AVDD引脚，从而进入芯片的敏感模块，对射频芯片发射旗子暗记质量的稳定性产生了影响。但详细哪个引脚暂且还不知道，以及影响的机理，受限于对射频芯片内部理解不深，也不得而知。（以上总结有误，如果是由芯片引脚引出芯片内部杂散，那么考试测验用DC POWER供电仍旧不能办理问题，与事实不符，以是还是由于1.2V AVDD外部产生了杂散进入芯片引脚，后续我会做进一步验证。）
