也便是说，没等国产芯片突围，部分芯片“砍单”竟已现。但昔时夜家都聚焦于国产芯片何时突围时，我却想带大家认识另一个迷惑：芯片为什么都是薄片，不能做成立方体的吗？
一、从运用安装环境看，薄片显然符合人们对轻、小、便的哀求我们要知道，对付芯片形状特点，我可以肯定地说，没有绝对的0厚度。实在芯片都有一定厚度，严格来讲，所有芯片也都是立体的。可是，为什么不把芯片做成球体或立方体呢？我先从芯片所运用的安装环境提及。
要知道，芯片是半导体技能发展的一定结果。原来老式的电子设备里都是大小不一的“灯泡”，这些“灯泡”便是电子管，特点是体历年夜、发热高和效率低。可随着半导体技能发展，晶体管涌现了它完美取代了电子管，使得电子设备体历年夜大缩小，事情效率也大幅提高。
然后到了大规模集成电路时期，晶体管被缩小成险些肉眼都不可清晰辨识的大小。也便是说，将成千上万个晶体管，集中支配在指甲盖大小电路板上，这便是芯片的基本构成。
它的涌现，使得设备运算速率得到质的飞跃，推动了打算机技能的迅速发展。从设计，生产和利用的便利性看，平面布局肯定是最优化、最经济的集成办法，便于生产制造和利用。
毫无疑问，任何电子设备设计目标之一便是小、轻、便。最大化地将产品做小、做薄是设计和制造流程的主要组成部分。而“平面化”芯片凑集平面化布局电路，便是最大限度实现了薄和小的目标，再经由合理工业设计，让产品体积实现最优。可见，如果芯片做成球体或立方体等，无疑会大大增加厚度，为了将电路装进产品中，产品设计也要扩大体积，这显然不符合大家对轻、小、便的哀求。
二、从制造工艺上看，“立体化”会与现有工艺存在很大程度的不兼容我们试想下，如果说将立方体的六个面全部进行工艺制作，即部分包含器件的表面是垂直或以一定角度放置，就会存在性能不均、工艺难、可靠性差和本钱高档一系列问题。
从性能上讲，晶体立方体的不同面，会由于晶体构造、晶系统编制作工艺，存在不同表面状态，就会导致同一种器件在不同表面涌现不同性能。
也便是说，从工艺上讲，目前工艺都是在厚片上进行表面加工，表面加工完后进行钝化处理，再做相对大略的背面加工。可由于热预算及不同材料熔点不同，一个表面加工完后，另一个表面很难再做高温处理。
因此，仅仅背面大略的工艺都会存在较大的制约，更何况对背面及侧面进行完备的芯片加工。如果每道工艺都把六个表面轮一遍，再进行下一道工艺。这对设备的精度，设备的操作空间都形成难以办理的困难。相反，我们会对晶片背面进行减薄，这样有利于封装时体积更小，但更主要的是有利于散热。器件在运行中会涌现功耗，产生热量。这部分热量若不及时勾引出芯片，将会不断积累，终极造成器件失落效，而立方体芯片的散热将是个大问题。
再从本钱上讲，工艺更为繁芜，对设备、材料也会提出新哀求，在面积同等下，会多五个表面，这部分本钱肯定上升。当然，最为关键的是，现今工艺技能里，常日是在圆片上制作芯片，末了切割。而立方体很难从这个角度出发去制作，它与现有工艺存在很大程度的不兼容。三、末了，从趋势上来说，未来的晶体管是会越来越立体化从实际情形来看，芯片肯定都不是100%平面的。由于光是晶体管的部分，现行主流的FinFET已经是立体构造的，并且未来的晶体管会越来越立体化，而在FinFET之前的Planar，虽然构造定义上是平面的，但物理层面也还是立体的。
而且，我们要知道，除了晶体管以外，芯片实际上还要通过各种金属层互联，实际上也是会涌现立体构造的，只是并非单片立体，而是组合立体化。
从实际尺度上来看，这个Z轴高度都太小了，算作不是立体的实在也没问题。但是，我这里所说的立体，实在是说会朝着Z轴野蛮成长，一层一层堆叠，这个是当前的趋势，但在办理散热问题前，只能在低功耗的芯片上做有限层。现在比较立体的芯片是类似HBM或者闪存NAND新品，它们都堆了很多层，特殊是NAND现在的发展便是一直的朝着Z轴堆。
相对高性能芯片呢，Intel的Lakefield，AMD的5800X3D，也是在纵向堆叠的，但由于散热限定真堆不了几层。
这些堆叠的芯片，可能会比普通芯片厚一点，但是也真厚不到哪里去，也很丢脸到真立方体的形状，由于堆叠技能还上不去，散热也真的是跟不上了。总之，芯片在生产时一定是要薄片办法，然后可以多层堆叠芯片，或者说目前最靠近立方体的芯片便是3D NAND FLASH，现在已经有176层堆叠的产品了。至于说终极产品芯片或者更准确地说封装后的芯片，目前来看依然是有厚度限定的，芯片不可能任意堆叠，管芯要堆叠是须要做繁芜的片间互连，这涉及到封装本钱的暴增。也便是说，芯片过于立体化是不可能了。
