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专利择要显示,本发明公开了一种带隙基准电路,采取新型下冲带隙基准电路与传统上冲带隙基准电路在瞬态建立期间互补对冲的办法,通过下冲带隙基准电路额外产生一个启动阶段下冲的下冲基准电压,让传统上冲带隙基准电路产生的上冲基准电与下冲基准电压叠加输出带隙基准电压,较好的调和了高压快工艺角过冲与低压慢工艺角建立过缓的抵牾,既抵消了高压快工艺角的过冲电压,又加快了低压慢工艺角的建立速率,达到所有工艺角下基准电压建立无过冲和能够快速建立的目的,进而提高了基准电压瞬态建立特性的工艺健壮性。本发明还公开了一种包括所述带隙基准电路的存储芯片。
本文源自金融界

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