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FIB可谓是高大上的设备了，
幸好
聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技能指标
一、技能指标
1、电子束电流范围：1 pA - 400 nA；
（图片来自网络侵删）
2、电子束电压：200eV-30 keV，具有减速模式
3、电子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV)
4、大束流Sidewinder离子镜筒；
5、离子束加速电压500V-30kV（分辨率：3.0 nm）；
6、离子束束流1.5pA-65nA，15孔光栅。
FIB检测
二、配置情形
1、GIS气体注入：Pt沉积
2、ETD SE、T1（筒内低位）、T（高位）探头
3、Nav-camTM：样品室内光学导航相机
4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自动拼图、NanoBuilder纳米加工软件。
FIB挖洞
三、适用样品
半导体、金属、陶瓷材料微纳加工及不雅观察剖析，身分剖析
四、检测内容
1、IC芯片电路修正
2、Cross-Section 截面剖析
3、Probing Pad
4、FIB微纳加工
5、材料鉴定
6、EDX身分剖析
五、设备简介
FEI Scios 2 DualBeam系统在Scios系统的根本上进行了升级，更加适用于金属、复合股料和涂层，特点是适用磁性样品、借助漂移抑制对不导电的样品可以进行操作、Trinity检测套件可同步检测材料、形态和边缘比拟对度，大大提高效率、软件可以实现三维数据立方体剖析金属中夹杂物大小和分布、独占的事情流模式，可以设定程序，降落操作员的难度。在超大样品仓中集成了大尺寸的五轴电动样品台，XY轴具有110mm移动范围，Z方向具有85mm升降空间。
