PWM MOS管驱动实际是将PWM旗子暗记经由MOS进行功率放大，将PWM旗子暗记变成具备一定功率输出或有一定电流注意灌输能力的PWM波形。其常见的电路有PWM MOS管底边驱动，半桥输出、H桥输出和三相全桥输出。
其详细运用有如下运用：
PWM MOS管底边驱动：常见于斩波器（串励电机掌握器）、反激式开关电源功率驱动、Boost升压电路、N型旗子暗记功率放大等各种电路中。
半桥输出：常见于高频谐振电源电路、大功率电磁炉等
H桥：两个半桥构成一个H桥，常见于开关电源、高频焊机、大功率电磁炉、单相逆变器、有刷电机驱动等
三相全桥：常见在变频器、伺服驱动、无刷电机驱动等干系电机的驱动方面
根据以上我们做出以下常见电路：
PWMMOS管底边驱动：
此电路中，PWM旗子暗记驱动Q1，Q1具备较强的光电流能力，此电路可以掌握有刷电机单向旋转、可以驱动大功率继电器、LED、指示灯等干系负载。此电路中C10与D5构成灭弧电路，C10抑制Q1关断瞬间，J6第二脚的电压瞬间上升，通过C10，将此时候的电压上升斜率降落，给D5二极管续流相应供应了一个反应韶光。D5具备续流的浸染，Q1关断后，负载电流不能瞬间消逝，当J6 第二脚电压大于第1脚电压时，电流会通过D5进行回馈到VCC_12中。
半桥输出：如下图是一个IR2103的范例半桥驱动电路
个中IR2103是范例的半桥驱动芯片，半桥驱动芯片目前市情上有很多，诸如FAN7382、FAN7390、IR2101、IR2102、IR2103、IR2108、IR2113、NCP5106、NCP5181、NCP5304、ADuM3223、ADuM4223等等。
个中图中所示：
C1 为IR2103 逻辑电源滤波电容；
C2为高边MOS驱动电源自举电容；
C3为高压电源滤波电容；
HIN为高边驱动旗子暗记，高有效；
LIN为底边驱动旗子暗记，低有效；
D1二极管为高边电源续流二极管，通过与C2自举电容、负载端（TO LOAD）脉冲波形合营，完成VB高边电源的电压举升。
注：半桥在事情时，Q1与Q2不能同时打开，若同时打开，会导致电源通过两个MOS管对地短路而造成电路永久性破坏。
该电路中，PWM掌握HIN与LIN端，可实现掌握MOS管输出，达到PWM功率放大的浸染。个中MOS管中都内嵌续流二极管，因此在实际电路设计中，没有额外的追加续流二极管。
关于半桥的详细事情特性及事情流程，我们会专门拿出一节来讲解，我们会设计到MOS管驱动特性、普通PWM与互补PWM掌握半桥的把稳点，如何防止MOS管破坏，MOS管选型把稳事变等。
H桥电路：
H桥电路便是两个半桥电路中间加一个负载，该电路构造形状类似于大写的“H”，因此成为H桥基本电路，如下图所示：
个中QA、QB、QC、QD可以三极管、MOS管或IGBT，个中低压直流电机驱动或小功率电源驱动中采取N-MOS管较多，小旗子暗记、小功率采取互补性三极管或MOS管，输入高压大功率电源、大功率高频炉、大功率焊机会采取IGBT；
两边半桥采取半桥驱动芯片驱动，PWN旗子暗记通过掌握半桥芯片，实现H桥的驱动。从而实现电机的驱动，电源谐振电路驱动，高频谐振电路驱动。
三相全桥是由三个半桥构成三相负载驱动的电路。其基本构造如下
个中
VT1、VT4、D1、D4构成一个半桥
VT3、VT6、D3、D6构成一个半桥
VT5、VT2、D5、D2构成一个半桥
三相全桥电路常见在三相逆变器、变频器、伺服驱动、无刷电机驱动等干系电机的驱动方面，生活中涉及到的东西有电动自行车驱动器、电动汽车驱动器、电动大巴驱动器、供水管道电机驱动、供热管道电机驱动、楼宇排风电机驱动、变频空调电机驱动等等。
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