电感对高频旗子暗记的阻抗是很大的，以是，大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，由于一段导线也可以算作是一个电感的），而且常利用平板电容的构造，这样小容量电容就有很小ESL这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频旗子暗记的阻抗大。
以是，如果我们为了让低频、高频旗子暗记都可以很好的通过，就采取一个大电容再并上一个小电容的办法。
常利用的小电容为 0.1uF的CBB电容较好（瓷片电容也行），当频率更高时，还可并联更小的电容，例如几pF，几百pF的。而在数字电路中，一样平常要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地（这个电容叫做退耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容，越靠近芯片越好），由于在这些地方的旗子暗记紧张是高频旗子暗记，利用较小的电容滤波就可以了。
空想的电容，其阻抗随频率升高而变小（R＝1/jwc）， 但空想的电容是不存在的，由于电容引脚的分布电感效应， 在高频段电容不再是一个纯挚的电容，更该当把它算作一个电容和电感的串联高频等效电路，当频率高于其谐振频率时， 阻抗表现出随频率升高而升高的特性，便是电感特性，这时电容就好比一个电感了。相反电感也有同样的特性。
大电容并联小电容在电源滤波中非常广泛地用到，根本缘故原由就在于电容的自谐振特性。大小电容搭配可以很好地抑制低频到高频的电源滋扰旗子暗记，小电容滤高频（自谐振频率高），大电容滤低频（自谐振频率低），两者互为补充。
串联分压比—— V1 = C2/（C1 + C2）V 。电容越大分得电压越小，互换直流条件下均如此
并联分流比—— I1 = C1/（C1 + C2）I 。电容越大通过的电流越大，当然，这是互换条件下
电容串联值低落，相称板距在加长，
各容倒数再求和，再求倒数总容量。
电容并联值增加，相称板面在增大，
并后容量很好求，各容数值来相加。
想起电阻串并联，电容打算正相反，
电容串联电阻并，电容并联电阻串。
解释：两个或两个以上电容器串联时，相称于绝缘间隔加长，由于只有最靠两边的两块极板起浸染，又因电容和间隔成反比，间隔增加，电容低落；两个或两个以上电容器并联时，相称于极板的面积增大了，又因电容和面积成正比，面积增加，电容增大。
电容串联：电容串联后容量减小，耐压值变大。公式：1\C1+1\C2=1\C 如两个50uf串联起来就变成25uf。
耐压值=两个电容耐压值相加如两个耐压100V的串联起来就变成200V的了。
电容C的串联电路容量打算公式：1/C=1/C+1/C2+1/C3+.+1/Cn
C为电容串联电路总电容值，C1，C2，C3，Cn为电容并联电路各个电容的电容值。
即串联电路总电容值的倒数即是串联电路中各个电容容量值的倒数之和,两个电容串联两端加一定电压两电容的分压是怎么分的。
如图C1、C2电容容量比是10：1，标称耐压都是1000V，两端加1000V电压时，C1C2的分压分别是多少？原边对地和副边对地的两个Y电容的分压是怎么打算的？
两个电容上的电荷Q一样，面Q=UC。 故U1C1=U2C2U1/U2=C2/C1=1/10。
电容串联怎么分压？比如：4V的电压源，0.5F和1F的两个电容串联。1.如果是直流电压源，可根据中学物理中先容电容串联分压特点为： （1）电容串联电路两端的总电压即是各电容器两端的分压之和。即U= U1+ U2+ U3+…＋Un.（2）电容器串联时各电容器上所分配的电压与其电容量成反比。即Un =Q / Cn（由于在电容器串联电路中，每个电容器上所带的电荷量都相等，以是电容量越大的电容器分配的电压越低，电容量越小的电容器分配的电压越高。）。
那么4V的电压源，0.5F和1F的两个电容上的电压分别是8/3V和4/3V 2.如果是互换电压源，由电容的阻抗Xc=1/jωC ，可知|Xc|与C成反比，将|Xc|当做电阻来分压打算，可所得同样结果！
这是一个理论打算题，须要假设电容的耐压值没有余量，即超过500V时200pF的电容即击穿；超过900V时300pF的电容即击穿。
加上1000V电压后，200pF的电容将承受600V电压，不考虑电容的耐压富余量，则200pF电容将击穿；此时1000V将全部加在300pF的电容上，超过其耐压，故也会击穿。
打算公式：
若有M个电容串联，个中任意一个电容Cn实际承受的电压值Un为：Un=UC/Cn 个中：U为总电压；C为M个电容串联后的总容量。对付两个电容串联，公式演化为：设总电压是U，C1、C2上的电压分别是U1、U2，则U1=C2U/（C1+C2）,U2=C1U/（C1+C2）。
