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专利择要显示，本发明供应了一种微型LED芯片及其制作方法，本申请供应的微型LED芯片的制作方法，一方面，通过掌握成长条件在外延构造上制备具有刻蚀速率差异的I TO复合层，I TO复合层包括层叠的I TO导电层和I TO掩蔽层，并刻蚀I TO复合层形成悬空构造，使I TO掩蔽层的侧向刻蚀深度大于I TO导电层的侧向刻蚀深度，通过掌握ITO掩蔽层的侧向刻蚀深度，让I TO导电层可以不受光刻胶粘附性影响，以使ITO导电层侧向刻蚀深度达到预设长度，经由刻蚀后的倾斜侧壁与I TO导电层具有一定的间距，避免搭边引起泄电问题；另一方面，MESA/I TO工序合并光刻，避免单独工序时造身分歧区域易套偏导致须要较大过刻蚀量，使发光区丢失，而影响微型LED芯片的亮度问题，既简化流程，提升产量，降落本钱，又可提升亮度。
本文源自金融界
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