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（图片来源：三星电子官方网站）
据小雷理解，新一代存储芯片能够达到2400MTps的传输速率，比较上一代提升了1.2倍，可以制造传输速率超过12GBps的消费级SSD。据先容，第8代V-NAND可以供应1Tb（128GB）的方案，三星电子没有公布IC的实际密度，不过他们称其是业界最高的比特密度。
（图片来源：三星电子中国官方网站）
（图片来自网络侵删）
目前三星官方还未发布实际的产品，不过间隔新品发布已经不远了。值得一提的是，虽然存储容量变得更大，但是第8代V-NAND的厚度依旧掌握在合理水平，封装512GB容量也不会超过0.8mm。
与目前同容量的闪存芯片比较，第8代V-NAND的单晶生产率提高了20%，能够知足PCIe 4.0乃至是PCIe 5.0的性能哀求。单晶生产率的提升意味着生产本钱进一步降落，后续大家或容许以买到相同容量下更便宜的固态硬盘。
（图片来源：三星电子中国官方网站）
事实上，不但有三星一家，像东芝、西数、SK海力士等厂商都在大力研发3D NAND技能，以此来拉开与竞争者的差距，从而霸占大部分市场份额。就目前而言，三星的3D NAND技能已经完成了全面领先，希望后续其他厂商能够加把劲，争取早日追上三星。
对想购买固态硬盘的用户来说，完备可以等等看，毕竟做等等党“永久不亏”，估量后面还会有更多新品上市。可以预见的是，存储厂商的“内卷”才刚刚开始，未来还会有更多容量大且便宜的固态硬盘。
（封面图来源：三星电子中国官方网站）
