硅(Si):
硅是最常用的半导体材料,因其具有优秀的电气性能、良好的热稳定性及成熟的制造工艺。大多数当代集成电路(IC)都是基于硅制造的。
砷化镓(GaAs):

砷化镓是一种高效的半导体材料,常用于高频、大功率运用以及光电设备,如激光二极管和光电探测器。比较硅,砷化镓在电子迁移率和光电转换效率方面表现更好,但本钱较高。
碳化硅(SiC):
碳化硅是适用于高温和高电压运用的半导体材料,广泛用于电力电子设备,如电动汽车的逆变器和高效电源模块。
氮化镓(GaN):
氮化镓是一种新兴的半导体材料,具有高电子迁移率和高击穿电压特性,常用于高频、高功率的运用,如射频放大器和LED。
铟镓砷(InGaAs):
这种材料常用于光电探测器和光纤通信设备,具有优秀的光电性能。
绝缘材料:
芯片生产中还利用多种绝缘材料,如二氧化硅(SiO₂)和氮化硅(Si₃N₄),用于分隔不同电路组件和防止短路。
金属材料:
芯片中的互连层常日利用铜(Cu)或铝(Al)等金属材料,以连接芯片内部的各个元件。
介电材料:
用于增强电容效果的材料,如高介电常数材料,在高集成度芯片中起到主要浸染。
这些材料各具特性,根据不同的运用和需求被广泛利用于不同类型的芯片中。
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