铠侠的BiCS FLASH是一种三维（3D）垂直闪存单元构造。铠侠的TLC 3位/单元1Tb （128GB） BiCS FLASH为业界创始，在提升写入速率的同时也提高了擦写次数的可靠性。还供应采取4位/单元、四层存储单元（QLC）技能的2Tb BiCS FLASH。
从BiCS FLASH技能架构来看，先交替堆叠作为掌握栅极的板状电极(绿色板)和绝缘体，然后垂直于表面的大量孔都被一次性打开（冲孔），接着，在板状电极中打开的孔的内部添补(插入)电荷储存膜(粉赤色部分)和柱状电极(灰色柱状构造)。在此条件下，板状电极与柱状电极的交点为一存储单元。先堆叠板状电极，然后开孔从而一次形成所有层的存储单元，以降落制造本钱。
图源：铠侠官网
据此前先容，基于铠侠的BiCS FLASH技能，实现了高达1.33 terabit（Tb）的业界最大的单芯片容量，而且其16芯片堆叠架构可以实现高达2.66 terabyte（TB）的最大单一封装容量。这一技能产品紧张用于企业存储、数据中央存储、移动设备、车载、工业和消费等领域。
全新的第八代BiCS FLASH 2Tb QLC的位密度比铠侠目前所采取的第五代BiCS FLASH的QLC产品提高了约2.3倍，写入能效比提高了约70%。
全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片供应4TB容量，并采取更为紧凑的封装设计，尺寸仅为11.5 x 13.5 mm，高度为1.5 mm。
除2Tb QLC之外，铠侠还推出了1Tb QLC版本。相较于容量优化的2Tb QLC，1Tb QLC的顺序写入性能还能再提升约30%，读取延迟提升约15%。1Tb QLC更适用于高性能领域，包括客户端SSD和移动设备。
铠侠表示，其最新的BiCS FLASH技能紧张采取打破性的缩放和晶圆键合技能。通过专有工艺和创新架构，实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡。此外，铠侠还开拓了打破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技能，以供应更高的位密度和业界领先的接口速率（3.6Gbps）。
铠侠于2007岁首年月次提出BiCS 3D闪存技能，2015年8月首次推出32GB 48层TLC每单元3位BiCS FLASH。2017年6月首次引入QLC BiCS FLASH，64层BiCS3技能，2018年96层BiCS4，QLC BiCS FLASH单芯片容量达1.33Tb。2020年引入第5代112层BiCS FLASH。2022年第6代 BiCS为162层。
并且铠侠跳过第7代，于2023年3月推出第8代 BiCS 3D NAND，堆叠218 层，接口速率3200MT/s。接下来还将开拓284层闪存。铠侠首席技能官Hidefumi Miyajima近日表露，铠侠操持在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存。
