如果不考虑纹波和EMI等哀求的话，MOS管开关速率越快越好，由于开关韶光越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。
对付一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的韶光越短，那么MOS管开启的速率就会越快。与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的韶光越短，那么MOS管关断的速率也就越快。由此我们可以知道，如果想在更短的韶光内把GS电压拉高或者拉低，就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。
大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后再驱动MOS的方法，其实在瞬间驱动电流这块是有很大毛病的。
比较好的方法是利用专用的MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管，这类的芯片一样平常有很大的瞬间输出电流，而且还兼容TTL电平输入
MOSFET驱动芯片的内部构造
MOS驱动电路设计须要把稳的地方
由于驱动线路走线会有寄生电感，而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路，如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话，在PWM波的上起落低沿会产生很大的震荡，导致MOS管急剧发热乃至爆炸，一样平常的办理方法是在栅极串联10欧旁边的电阻，降落LC振荡电路的Q值，使震荡迅速衰减掉。
由于MOS管栅极高输入阻抗的特性，一点点静电或者滋扰都可能导致MOS管误导通，以是建议在MOS管G S之间并联一个10K的电阻以降落输入阻抗。如果担心附近功率线路上的滋扰耦合过来产生瞬间高压击穿MOS管的话，可以在GS之间再并联一个18V旁边的TVS瞬态抑制二极管，TVS可以认为是一个反应速率很快的稳压管，其瞬间可以承受的功率高达几百至上千瓦，可以用来接管瞬间的滋扰脉冲。
MOS管驱动电路参考
MOS管驱动电路的布线设计
MOS管驱动线路的环路面积要尽可能小，否则可能会引入外来的电磁滋扰
驱动芯片的旁路电容要只管即便靠近驱动芯片的VCC和GND引脚，否则走线的电感会很大程度上影响芯片的瞬间输出电流。
常见的MOS管驱动波形
如果涌现了这样的波形，有很大一部分韶光管子都事情在线性区，损耗极其巨大。一样平常这种情形是布线太长电感太大，栅极电阻都救不了你，只能重新画板子。
高频振铃严重的毁容方波
在上起落低沿震荡严重，这种情形管子一样平常瞬间去世掉。跟上一个情形差不多，进线性区。BOOM!！
缘故原由也类似，紧张是布线的问题。
又胖又圆的肥猪波
上起落低沿极其缓慢，这是由于阻抗不匹配导致的。芯片驱动能力太差或者栅极电阻太大。果断换大电流的驱动芯片，栅极电阻往小调调就OK了。
打肿脸充正弦的生于方波他们家的三角波
驱动电路阻抗超大发了，此乃管子必杀波，办理方法同上。
大众脸型，人见人爱的方波
高低电平分明，电平这时候可以叫电平了，由于它平。边沿陡峭，开关速率快，损耗很小。略有震荡，可以接管，管子进不了线性区，强制症的话可以适当调大栅极电阻。
方方正正的帅哥波
无振铃无尖峰无线性损耗的三无产品，这便是最完美的波形了。
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