纳芯微取得隔离电源芯片及其实现方法专利提高了芯片的集成度_芯片_电容

专利择要显示，本发明公开了一种隔离电源芯片及实在现方法，包括：发射芯片和吸收芯片，且发射芯片和吸收芯片之间通过耐高压的电容C1、C2实现电源的传输和直流共模电平的隔离；所述发射芯片包括第一振荡器、耐高压的电容C1、C2；所述吸收芯片包括由MOS管M1～M4组成的整流电路、耐高压的电容C5；所述第一振荡器接电源VDD1，第一振荡器分别与电容C1、C2的负极连接，电容C1、C2的正极分别与整流电路连接，整流电路通过电容C5接电源VDD2。
本专利采取耐高压的电容实现电源的传输和直流共模电平的隔离，提高了芯片的集成度。
而且本专利的电源芯片的构造以及实现方法既适宜开环构造，又适宜闭环构造的系统。
在知足两个别系之间电源隔离的情形下，又节省了芯片的面积和功耗。

本文源自金融界